論文の概要: Optimizing the growth conditions of Al mirrors for superconducting
nanowire single-photon detectors
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2305.17980v1
- Date: Mon, 29 May 2023 09:39:24 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-30 15:40:55.672773
- Title: Optimizing the growth conditions of Al mirrors for superconducting
nanowire single-photon detectors
- Title（参考訳）: 超伝導ナノワイヤ単光子検出器用Al鏡の成長条件の最適化
- Authors: R. Flaschmann, C. Schmid, L. Zugliani, S. Strohauer, F. Wietschorke,
S. Grotowski, B. Jonas, M. M\"uller, M. Althammer, R. Gross, J.J. Finley, K.
M\"uller
- Abstract要約: 薄膜(200nm以下)スパッタアルミ(Al)薄膜の成長条件について検討した。
蒸着速度, 温度, パワーなど, 様々なスパッタリングパラメータをチューニングする。
超伝導単光子検出器を多層ヘテロ構造に集積させることにより, 堆積膜の品質を確認した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We investigate the growth conditions for thin (less than 200 nm) sputtered
aluminum (Al) films. These coatings are needed for various applications, e.g.
for advanced manufacturing processes in the aerospace industry or for
nanostructures for quantum devices. Obtaining high-quality films, with low
roughness, requires precise optimization of the deposition process. To this
end, we tune various sputtering parameters such as the deposition rate,
temperature, and power, which enables 50 nm thin films with a root mean square
(RMS) roughness of less than 1 nm and high reflectivity. Finally, we confirm
the high quality of the deposited films by realizing superconducting
single-photon detectors integrated into multi-layer heterostructures consisting
of an aluminum mirror and a silicon dioxide dielectric spacer. We achieve an
improvement in detection efficiency at 780 nm from 40 % to 70 % by this
integration approach.
- Abstract（参考訳）: 薄膜(200nm以下)スパッタアルミニウム(al)薄膜の成長条件について検討した。
これらのコーティングは、航空宇宙産業の高度な製造プロセスや量子デバイスのためのナノ構造など、様々な用途に必要である。
粗度の低い高品質フィルムを得るには, 堆積過程の精密な最適化が必要である。
この目的のために, 沈着速度, 温度, パワーなどの様々なスパッタリングパラメータを調整し, 1nm未満の根平均正方形(rms)粗さと高い反射率を有する50nm薄膜を作製した。
最後に,アルミニウムミラーと二酸化ケイ素誘電体スペーサからなる多層ヘテロ構造に集積した超伝導単光子検出器を実現することにより,堆積膜の品質を確認した。
本手法により,780nmにおける検出効率を40%から70%に向上させた。
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