論文の概要: Constrained Bayesian Optimization Using a Lagrange Multiplier Applied to
Power Transistor Design
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2308.09612v1
- Date: Fri, 18 Aug 2023 15:14:31 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-08-21 12:36:00.238555
- Title: Constrained Bayesian Optimization Using a Lagrange Multiplier Applied to
Power Transistor Design
- Title(参考訳): ラグランジュ乗算器を用いた電力トランジスタ設計のための制約ベイズ最適化
- Authors: Ping-Ju Chuang, Ali Saadat, Sara Ghazvini, Hal Edwards, William G.
Vandenberghe
- Abstract要約: 本稿では,横方向拡散金属酸化物半導体(LDMOS)トランジスタのための制約付きベイズ最適化(BO)アルゴリズムを提案する。
制約付きBO問題をラグランジュ乗算器を用いて従来のBO問題に変換する。
本アルゴリズムにより、設計空間にターゲットBVを設定可能とし、最適化されたFOMとターゲットBV制約を自動的に満たす装置を得る。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 1.0718756132502771
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We propose a novel constrained Bayesian Optimization (BO) algorithm
optimizing the design process of Laterally-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor
(LDMOS) transistors while realizing a target Breakdown Voltage (BV). We convert
the constrained BO problem into a conventional BO problem using a Lagrange
multiplier. Instead of directly optimizing the traditional Figure-of-Merit
(FOM), we set the Lagrangian as the objective function of BO. This adaptive
objective function with a changeable Lagrange multiplier can address
constrained BO problems which have constraints that require costly evaluations,
without the need for additional surrogate models to approximate constraints.
Our algorithm enables a device designer to set the target BV in the design
space, and obtain a device that satisfies the optimized FOM and the target BV
constraint automatically. Utilizing this algorithm, we have also explored the
physical limits of the FOM for our devices in 30 - 50 V range within the
defined design space.
- Abstract(参考訳): 本稿では, 水平拡散金属酸化物半導体(LDMOS)トランジスタの設計過程を最適化し, 目標破壊電圧(BV)を実現した新しい制約ベイズ最適化(BO)アルゴリズムを提案する。
制約付きbo問題をラグランジュ乗算器を用いて従来のbo問題に変換する。
従来のフィギュア・オブ・メリート(FOM)を直接最適化するのではなく、ラグランジアンをBOの目的関数として設定した。
可変ラグランジュ乗算器を持つ適応目的関数は、制約を近似する追加の代理モデルを必要としない、コストの高い評価を必要とする制約を持つ制約付きBO問題に対処することができる。
本アルゴリズムにより、設計空間にターゲットBVを設定可能とし、最適化されたFOMとターゲットBV制約を自動的に満たす装置を得る。
また,このアルゴリズムを用いて,デバイスに対するfomの物理的限界を,設計空間内で30~50vの範囲で検討した。
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