論文の概要: Highly indistinguishable single photons from droplet-etched GaAs quantum
dots integrated in single-mode waveguides and beamsplitters
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.11899v1
- Date: Wed, 18 Oct 2023 11:34:11 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-10-19 11:50:15.086342
- Title: Highly indistinguishable single photons from droplet-etched GaAs quantum
dots integrated in single-mode waveguides and beamsplitters
- Title（参考訳）: 単一モード導波路およびビームスプリッターに集積した液滴エッチングgaas量子ドットからの高識別性単一光子
- Authors: Florian Hornung, Ulrich Pfister, Stephanie Bauer, Dee Rocking
Cyrlyson's, Dongze Wang, Ponraj Vijayan, Ailton J. Garcia Jr, Saimon Filipe
Covre da Silva, Michael Jetter, Simone L. Portalupi, Armando Rastelli, and
Peter Michler
- Abstract要約: 液滴エッチングエピタキシーにより得られたGaAs量子ドット(QDs)は、個々のエミッタとリモートエミッタの両方に対して1に近い振動率で優れた性能を示す。
この方向の最初の実装を示し、フォトニック集積回路(PIC)に必要な鍵受動的要素を実現する。
複数のQDの励起線の波長,線幅,減衰時間の統計分布と共振励起下での個々のエミッタの量子光学特性について検討した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The integration of on-demand quantum emitters into photonic integrated
circuits (PICs) has drawn much of attention in recent years, as it promises a
scalable implementation of quantum information schemes. A central property for
several applications is the indistinguishability of the emitted photons. In
this regard, GaAs quantum dots (QDs) obtained by droplet etching epitaxy show
excellent performances with visibilities close to one for both individual and
remote emitters. Therefore, the realization of these QDs into PICs is highly
appealing. Here, we show the first implementation in this direction, realizing
the key passive elements needed in PICs, i.e. single-mode waveguides (WGs) with
integrated GaAs-QDs, which can be coherently controlled, as well as
beamsplitters. We study both the statistical distribution of wavelength,
linewidth and decay times of the excitonic line of multiple QDs, as well as the
quantum optical properties of individual emitters under resonant excitation.
Here, we achieve single-photon purities as high as
$1-\text{g}^{(2)}(0)=0.929\pm0.009$ as well as two-photon interference
visibilities of up to V$_{\text{TPI}}=0.939\pm0.004$ for two consecutively
emitted photons.
- Abstract（参考訳）: オンデマンド量子エミッタのフォトニック集積回路(pics)への統合は、近年、量子情報スキームのスケーラブルな実装を約束するなど、多くの注目を集めている。
いくつかの用途において中心となる性質は、放出された光子の区別不能である。
この点において, 液滴エッチングエピタキシーにより得られたGaAs量子ドット (QD) は, 個人および遠隔エミッタの両方に対して, 可視性に近く優れた性能を示す。
したがって、これらのQDをPICに実現することは、非常に魅力的である。
そこで本研究では,PICにおいて必要となる重要な受動素子,すなわち単一モード導波路(WG)とGaAs-QDを一体化して実現し,コヒーレントに制御できるビームスプリッタについて述べる。
本研究では、複数のqdsの励起子線の波長、線幅、減衰時間の統計分布と、共鳴励起による個々のエミッタの量子光学特性について検討した。
ここでは、単光子純度を1-\text{g}^{(2)}(0)=0.929\pm0.009$と、V$_{\text{TPI}}=0.939\pm0.004$の2光子干渉鮮度を2つ連続放出した光子に対して達成する。
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