論文の概要: Coupling conduction-band valleys in SiGe heterostructures via shear strain and Ge concentration oscillations
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.18879v3
- Date: Fri, 31 May 2024 17:17:38 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-06-03 20:31:38.655311
- Title: Coupling conduction-band valleys in SiGe heterostructures via shear strain and Ge concentration oscillations
- Title（参考訳）: せん断ひずみとGe濃度振動によるSiGeヘテロ構造における結合伝導バンドバレー
- Authors: Benjamin D. Woods, Hudaiba Soomro, E. S. Joseph, Collin C. D. Frink, Robert Joynt, M. A. Eriksson, Mark Friesen,
- Abstract要約: エンジニアリング伝導バンド・バレー結合は、Siベースのスピン量子ビットにとって鍵となる課題である。
近年の研究では、谷のカップリングを強化する最も信頼性の高い方法は、量子井戸にGe濃度の振動を加えることである。
本稿では,2次結合プロセスにより長波長構造において短波長発振の主な利点が得られることを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Engineering conduction-band valley couplings is a key challenge for Si-based spin qubits. Recent work has shown that the most reliable method for enhancing valley couplings entails adding Ge concentration oscillations to the quantum well. However, ultrashort oscillation periods are difficult to grow, while long oscillation periods do not provide useful improvements. Here, we show that the main benefits of short-wavelength oscillations can be achieved in long-wavelength structures through a second-order coupling process involving Brillouin-zone folding induced by shear strain. We finally show that such strain can be achieved through common fabrication techniques, making this an exceptionally promising system for scalable quantum computing.
- Abstract（参考訳）: エンジニアリング伝導バンド・バレー結合は、Siベースのスピン量子ビットにとって鍵となる課題である。
近年の研究では、谷のカップリングを強化する最も信頼性の高い方法は、量子井戸にGe濃度の振動を加えることである。
しかし、超短発振周期は成長が困難であり、長い発振周期は有用ではない。
ここでは, 短波長発振の主な利点は, せん断ひずみによって誘起されるブリルアンゾーンの折り畳みを伴う2次結合過程によって, 長波長構造において達成できることを示す。
最終的に、このような歪みは共通の製造技術によって達成できることが示され、スケーラブルな量子コンピューティングにとって非常に有望なシステムとなった。
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