論文の概要: Dual Operation of Gate-All-Around Silicon Nanowires at Cryogenic Temperatures: FET and Quantum Dot

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2312.00903v1
• Date: Fri, 1 Dec 2023 20:08:51 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-12-05 20:15:38.721779
• Title: Dual Operation of Gate-All-Around Silicon Nanowires at Cryogenic Temperatures: FET and Quantum Dot
• Title（参考訳）: 極低温におけるゲート全周シリコンナノワイヤのデュアル動作:FETと量子ドット
• Authors: C. Rohrbacher, J. Rivard, R. Ritzenthaler, B. Bureau, C. Lupien, H. Mertens, N. Horiguchi and E. Dupont-Ferrier
• Abstract要約: ゲートオールアラウンド(GAA)n-MOSFETs Siナノワイヤ(NWs)の室温から1.7Kまでの電気的特性を特徴付ける。 これらのデバイスはトランジスタとして動作し、低温で量子ドットをホストすることができる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: As CMOS structures are envisioned to host silicon spin qubits, and for co-integrating quantum systems with their classical control blocks, the cryogenic behaviour of such structures need to be investigated. In this paper we characterize the electrical properties of Gate-All-Around (GAA) n-MOSFETs Si nanowires (NWs) from room temperature down to 1.7 K. We demonstrate that those devices can operate both as transistor and host quantum dots at cryogenic temperature. In the classical regime of the transistor we show improved performances of the devices and in the quantum regime we show systematic quantum dots formation in GAA devices.
• Abstract（参考訳）: CMOS構造はシリコンスピン量子ビットをホストし、量子システムを古典的な制御ブロックと組み合わせるためには、そのような構造の低温挙動を調べる必要がある。 本稿では,ゲートオールアラウンド(GAA)n-MOSFETs Siナノワイヤ(NW)の室温から1.7Kまでの電気的特性を特徴付ける。 トランジスタの古典的な状態においては、デバイスの性能が向上し、量子状態では、GAAデバイスにおける体系的な量子ドットの形成を示す。

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