論文の概要: Coupled vertical double quantum dots at single-hole occupancy

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2401.07736v1
• Date: Mon, 15 Jan 2024 14:46:40 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-01-17 16:46:07.720375
• Title: Coupled vertical double quantum dots at single-hole occupancy
• Title（参考訳）: 単一ホール占有における垂直2重量子ドットの結合
• Authors: Alexander Ivlev, Hanifa Tidjani, Stefan Oosterhout, Amir Sammak, Giordano Scappucci, Menno Veldhorst
• Abstract要約: 我々は、二重量子井戸、シリコン-ゲルマニウムヘテロ構造に閉じ込められた垂直二重量子ドットを制御する。 単一ホールトランジスタで個々の電荷遷移を感知する。 垂直の二重量子ドットを(1,1)の電荷状態にチューニングすると、1つのプランジャゲートの下にある各量子井戸に1つの穴が閉じられる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 39.58317527488534
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Gate-defined quantum dots define an attractive platform for quantum computation and have been used to confine individual charges in a planar array. Here, we demonstrate control over vertical double quantum dots confined in a double quantum well, silicon-germanium heterostructure. We sense individual charge transitions with a single-hole transistor. The vertical separation between the quantum wells provides a sufficient difference in capacitive coupling to distinguish quantum dots located in the top and bottom quantum well. Tuning the vertical double quantum dot to the (1,1) charge state confines a single hole in each quantum well beneath a single plunger gate. By simultaneously accumulating holes under two neighbouring plunger gates, we are able to tune to the (1,1,1,1) charge state. These results motivate quantum dot systems that exploit the third dimension, opening new opportunities for quantum simulation and quantum computing.
• Abstract（参考訳）: ゲート定義量子ドットは、量子計算の魅力的なプラットフォームを定義し、平面配列に個々の電荷を閉じ込めるために使われてきた。 ここでは、二重量子井戸、シリコン-ゲルマニウムヘテロ構造に閉じ込められた垂直二重量子ドットの制御を示す。 単一ホールトランジスタで個々の電荷遷移を感知する。 量子井戸間の垂直分離は、上層と下層の量子井戸に位置する量子ドットを区別するために容量結合に十分な差を与える。 1,1)電荷状態への垂直二重量子ドットのチューニングは、1つのプランジャゲートの下の各量子井戸に1つの穴を閉じる。 2つのプランジャーゲートの下に同時に穴をあけることで、1,1,1,1)の電荷状態を調節できる。 これらの結果は、第3次元を利用する量子ドットシステムを動機付け、量子シミュレーションと量子コンピューティングの新しい機会を開く。

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