論文の概要: Aluminum Josephson junction microstructure and electrical properties
modification with thermal annealing
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2403.02179v1
- Date: Mon, 4 Mar 2024 16:22:58 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-03-06 18:06:51.127818
- Title: Aluminum Josephson junction microstructure and electrical properties
modification with thermal annealing
- Title（参考訳）: アルミニウムジョセフソン接合の微細構造と熱焼鈍による電気的特性変化
- Authors: N. D. Korshakov, D. O. Moskalev, A. A. Soloviova, D. A. Moskaleva, E.
S. Lotkov, A. R. Ibragimov, M. V. Androschuk, I. A. Ryzhikov, Y. V. Panfilov
and I. A. Rodionov
- Abstract要約: Al/AlOx/Al Josephson接合に基づく超伝導量子ビットは、普遍量子コンピュータの物理的実装において最も有望な候補の一つである。
非晶質バリア酸化物(AlOx)を結晶化するためのジョセフソン接合熱焼鈍プロセスの開発について報告する。
この方法はジョセフソン接合抵抗を175%向上させるだけでなく、Rnの精度10%の精度で60%減少させる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Superconducting qubits based on Al/AlOx/Al Josephson junction are one of the
most promising candidates for the physical implementation of universal quantum
computers. Due to scalability and compatibility with the state-of-the-art
nanoelectronic processes one can fabricate hundreds of qubits on a single
silicon chip. However, decoherence in these systems caused by two-level-systems
in amorphous dielectrics, including a tunneling barrier AlOx, is one of the
major problems. We report on a Josephson junction thermal annealing process
development to crystallize an amorphous barrier oxide (AlOx). The dependences
of the thermal annealing parameters on the room temperature resistance are
obtained. The developed method allows not only to increase the Josephson
junction resistance by 175%, but also to decrease by 60% with precisions of 10%
in Rn. Finally, theoretical assumptions about the structure modification in
tunnel barrier are proposed. The suggested thermal annealing approach can be
used to form a stable and reproducible tunneling barriers and scalable
frequency trimming for a widely used fixed-frequency transmon qubits.
- Abstract（参考訳）: Al/AlOx/Al Josephson接合に基づく超伝導量子ビットは、普遍量子コンピュータの物理的実装において最も有望な候補の一つである。
スケーラビリティと最先端のナノエレクトロニクスプロセスとの互換性のため、単一のシリコンチップ上で数百キュービットを製造できる。
しかし, トンネル障壁AlOxを含む非晶質誘電体中の2レベル系が原因で, これらの系のデコヒーレンスが大きな問題となっている。
非晶質バリア酸化物(AlOx)を結晶化するためのジョセフソン接合熱焼鈍プロセスの開発について報告する。
室温抵抗に対する熱焼鈍パラメータの依存性について検討した。
本手法では, ジョゼフソン接合抵抗を175%向上させるだけでなく, 精度10%の精度で60%減少させることができた。
最後に,トンネルバリアの構造変化に関する理論的仮定を提案する。
提案する熱アニーリングアプローチは、広く使用される固定周波数トランスモン量子ビットの安定で再現可能なトンネル障壁とスケーラブルな周波数トリミングを形成するのに使うことができる。
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