論文の概要: Casimir repulsion with biased semiconductors
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2403.09007v1
- Date: Thu, 14 Mar 2024 00:04:13 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-03-15 22:17:16.868774
- Title: Casimir repulsion with biased semiconductors
- Title(参考訳): 偏光半導体によるカシミール反発
- Authors: Benjamin Spreng, Calum Shelden, Tao Gong, Jeremy N. Munday,
- Abstract要約: 強い反発力を示す中程度の偏りを持つ半導体を含むシステムについて検討する。
半導体から放出されるモードは、準ミクロン距離における魅力的な平衡カシミール力の寄与を克服する近い表面で反発力を発揮する。
我々の研究は、ナノテクノロジーのセンシングとアクチュエーターへの応用により、ナノとマイクロメートルのスケールで力を制御する新たな可能性を開く。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 1.8273673942018027
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Quantum and thermal fluctuations are fundamental to a plethora of phenomena within quantum optics, including the Casimir effect that acts between closely separated surfaces typically found in MEMS and NEMS devices. Particularly promising for engineering and harnessing these forces are systems out of thermal equilibrium. Recently, semiconductors with external bias have been proposed to study the nonequilibrium Casimir force. Here, we explore systems involving moderately biased semiconductors that exhibit strong repulsive Casimir forces, and we determine the effects of bias voltage, semiconductor bandgap energy, and separation for experimentally accessible configurations. Modes emitted from the semiconductors exert a repulsive force on a near surface that overcomes the attractive equilibrium Casimir force contribution at submicron distances. For the geometry of two parallel planes, those modes undergo Fabry-P\'erot interference resulting in an oscillatory force behavior as a function of separation. Utilizing the proximity-force approximation, we predict that the repulsive force exerted on a gold sphere is well within the accuracy of typical Casimir force experiments. Our work opens up new possibilities of controlling forces at the nano- and micrometer scale with applications in sensing and actuation in nanotechnology.
- Abstract(参考訳): 量子と熱のゆらぎは、MEMSとNEMSデバイスで一般的に見られる密接な分離された表面の間を作用するカシミール効果を含む、量子光学における現象の多元性の基本である。
特に、これらの力の工学と利用は、熱平衡から外れたシステムである。
近年、非平衡カシミール力を研究するために外部バイアスを持つ半導体が提案されている。
ここでは, 強い反発力を示す中等バイアスの半導体を含むシステムについて検討し, バイアス電圧, 半導体バンドギャップエネルギ, および実験的にアクセス可能な構成の分離の影響について検討する。
半導体から放出されるモードは、準ミクロン距離における魅力的な平衡カシミール力の寄与を克服する近い表面で反発力を発揮する。
2つの平行平面の幾何学において、これらのモードはファブリー・ペロト干渉を受け、分離の関数として振動力の挙動をもたらす。
近接力近似を用いて、金球に作用する反発力は、典型的なカシミール力実験の精度にかなり近いと予測する。
我々の研究は、ナノテクノロジーのセンシングとアクチュエーターへの応用により、ナノとマイクロメートルのスケールで力を制御する新たな可能性を開く。
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