論文の概要: All van der Waals three-terminal SOT-MRAM realized by topological ferromagnet Fe3GeTe2
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2403.15020v1
- Date: Fri, 22 Mar 2024 08:08:11 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-03-25 18:18:01.695385
- Title: All van der Waals three-terminal SOT-MRAM realized by topological ferromagnet Fe3GeTe2
- Title（参考訳）: トポロジカル強磁性体Fe3GeTe2により実現された全ファンデルワールス3末端SOT-MRAM
- Authors: Jingyuan Cui, Kai-Xuan Zhang, Je-Geun Park,
- Abstract要約: 磁気ファンデルワールス(vdW)材料は、学術的関心と過去数年間の応用の可能性から、大きな注目を集めている。
ここでは、Fe3GeTe2(FGT)の巨大内在性SOTの物理原理と、よく知られた産業適応型トンネル磁気抵抗効果(TMR)効果を用いて、全vdW三端子SOTメモリを実現する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.1978450534202665
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Magnetic van der Waals (vdW) materials have attracted massive attention because of their academic interest and application potential for the past few years. Its main advantage is the intrinsic two-dimensionality, enabling much smaller devices of novel concepts. One particular exciting direction lies in the current-driven spin-orbit torque (SOT). Here, we, for the first time, realize an all vdW three-terminal SOT memory, employing the unique physics principle of gigantic intrinsic SOT of Fe3GeTe2 (FGT) and the well-known industry-adopted tunnelling magnetoresistance (TMR) effect. We designed the device operation procedure and fabricated the FGT/h-BN/FGT vdW heterostructure as a proof of concept. This device exhibits a classical TMR effect and unambiguously demonstrates the conception by precise performance as expected: the magnetic information of the top-FGT is written by current-driven SOT and read out by TMR separately. The writing and reading current paths are physically decoupled, enhancing the design and optimization flexibility substantially and further strengthening the device's endurance naturally. Our work would prompt more expansive use of vdW magnets for spintronic applications.
- Abstract（参考訳）: 磁気ファンデルワールス(vdW)材料は、学術的関心と過去数年間の応用の可能性から、大きな注目を集めている。
その主な利点は本質的な2次元性であり、新しい概念のより小さなデバイスを可能にする。
特にエキサイティングな方向の1つは、電流駆動のスピン軌道トルク(SOT)にある。
ここでは,Fe3GeTe2(FGT)の巨大内在性SOTの物理原理と,産業適応型トンネル磁気抵抗効果(TMR)を応用して,初めて,全vdW三端子SOTメモリを実現する。
デバイス操作手順を設計し,FGT/h-BN/FGT vdWヘテロ構造を概念実証として作製した。
この装置は古典的なTMR効果を示し、期待通りに正確な性能で概念を実証する:トップFGTの磁気情報は電流駆動SOTによって書かれ、TMRによって別々に読み出される。
書き込みと読み込みの現在のパスは物理的に分離され、設計と最適化の柔軟性が大幅に向上し、デバイスの耐久性が自然に向上する。
我々の研究は、スピントロニクス用途にvdWマグネットをより広範囲に利用することを促すだろう。
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