論文の概要: A gate tunable transmon qubit in planar Ge

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2403.16774v1
• Date: Mon, 25 Mar 2024 13:52:05 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-03-26 20:03:02.303518
• Title: A gate tunable transmon qubit in planar Ge
• Title（参考訳）: 平面Geにおけるゲート可変トランスモン量子ビット
• Authors: Oliver Sagi, Alessandro Crippa, Marco Valentini, Marian Janik, Levon Baghumyan, Giorgio Fabris, Lucky Kapoor, Farid Hassani, Johannes Fink, Stefano Calcaterra, Daniel Chrastina, Giovanni Isella, Georgios Katsaros,
• Abstract要約: 半導体ジョセフソン接合を用いたゲート可変トランスモン(ゲートモン)は、ハイブリッド量子回路のビルディングブロックとして出現している。 我々は平面ゲルマニウムで作られた門門を提示する。 共振器と2トーン分光器を併用した広周波数帯における量子ビット可変性を示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 30.432877421232842
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Gate-tunable transmons (gatemons) employing semiconductor Josephson junctions have recently emerged as building blocks for hybrid quantum circuits. In this study, we present a gatemon fabricated in planar Germanium. We induce superconductivity in a two-dimensional hole gas by evaporating aluminum atop a thin spacer, which separates the superconductor from the Ge quantum well. The Josephson junction is then integrated into an Xmon circuit and capacitively coupled to a transmission line resonator. We showcase the qubit tunability in a broad frequency range with resonator and two-tone spectroscopy. Time-domain characterizations reveal energy relaxation and coherence times up to 75 ns. Our results, combined with the recent advances in the spin qubit field, pave the way towards novel hybrid and protected qubits in a group IV, CMOS-compatible material.
• Abstract（参考訳）: 半導体ジョセフソン接合を用いたゲート可変トランスモン(ゲートモン)は、近年、ハイブリッド量子回路のビルディングブロックとして出現している。 本研究では,平面ゲルマニウムで作製したゲートモンについて述べる。 超伝導体をGe量子井戸から分離した薄いスペーサ上にアルミニウムを蒸発させることにより、2次元ホールガス中で超伝導を誘導する。 ジョセフソン接合はXmon回路に統合され、容量的に伝送線路共振器に結合される。 共振器と2トーン分光器を併用した広周波数帯における量子ビット可変性を示す。 時間領域の特徴はエネルギー緩和と75 nsまでのコヒーレンス時間を示す。 我々の結果は、スピン量子場における最近の進歩と相まって、グループIV、CMOS互換材料における新しいハイブリッドおよび保護量子ビットへの道を開いた。

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