論文の概要: High transparency induced superconductivity in field effect two-dimensional electron gases in undoped InAs/AlGaSb surface quantum wells

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2405.14138v1
• Date: Thu, 23 May 2024 03:22:33 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-05-24 19:05:09.667598
• Title: High transparency induced superconductivity in field effect two-dimensional electron gases in undoped InAs/AlGaSb surface quantum wells
• Title（参考訳）: 未ドープInAs/AlGaSb表面量子井戸における電界効果2次元電子ガスの高透明性誘導超伝導
• Authors: E. Annelise Bergeron, F. Sfigakis, A. Elbaroudy, A. W. M. Jordan, F. Thompson, George Nichols, Y. Shi, Man Chun Tam, Z. R. Wasilewski, J. Baugh,
• Abstract要約: 本研究では,24nm幅のヒ素表面量子井戸における電界効果2次元電子ガス(2DEG)の輸送特性について報告する。 量子化量子化量子ホールプラトーを用いた高品質単一サブバンド磁気輸送が観測された。 酸化超伝導はNb系超伝導体-正規超伝導体(SNS)接合で示される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
• Abstract: We report on transport characteristics of field effect two-dimensional electron gases (2DEG) in 24 nm wide indium arsenide surface quantum wells. High quality single-subband magnetotransport with clear quantized integer quantum Hall plateaus are observed to filling factor $\nu=2$ in magnetic fields of up to B = 18 T, at electron densities up to 8$\times 10^{11}$ /cm$^2$. Peak mobility is 11,000 cm$^2$/Vs at 2$\times 10^{12}$ /cm$^2$. Large Rashba spin-orbit coefficients up to 124 meV$\cdot$\r{A} are obtained through weak anti-localization (WAL) measurements. Proximitized superconductivity is demonstrated in Nb-based superconductor-normal-superconductor (SNS) junctions, yielding 78$-$99% interface transparencies from superconducting contacts fabricated ex-situ (post-growth), using two commonly-used experimental techniques for measuring transparencies. These transparencies are on a par with those reported for epitaxially-grown superconductors. These SNS junctions show characteristic voltages $I_c R_{\text{N}}$ up to 870 $\mu$V and critical current densities up to 9.6 $\mu$A/$\mu$m, among the largest values reported for Nb-InAs SNS devices.
• Abstract（参考訳）: 本研究では,24nm幅のヒ素表面量子井戸における電界効果2次元電子ガス(2DEG)の輸送特性について報告する。 量子化整数量子ホールプラトーを持つ高品質の単一サブバンド磁気輸送は、B = 18 Tの磁場において、最大8$\times 10^{11}$ /cm$^2$までの電子密度で$\nu=2$の充填係数で観測される。 ピークモビリティは、11,000 cm$^2$/Vs at 2$\times 10^{12}$ /cm$^2$である。 124 meV$\cdot$\r{A} までの大きなラシュバスピン軌道係数は、弱い反局在化(WAL)測定によって得られる。 Nb系超伝導体-正規超伝導体(SNS)接合では, 超伝導接触体から78$-99%の界面透過性が得られることが実証された。 これらの透明性は、エピタキシャルに成長した超伝導体と同等である。 これらのSNS接続は特性電圧$I_c R_{\text{N}}$ 870$\mu$V、臨界電流密度$9.6$\mu$A/$\mu$mを示す。

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