論文の概要: Non-magnetic Fractional Conductance in High Mobility InAs Quantum Point Contacts

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2503.08476v1
• Date: Tue, 11 Mar 2025 14:23:40 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-03-12 19:17:27.513499
• Title: Non-magnetic Fractional Conductance in High Mobility InAs Quantum Point Contacts
• Title（参考訳）: 高移動度InAs量子点接触における非磁性破壊導電率
• Authors: I. Villar Rodriguez, Y. Gul, C. P. Dempsey, J. T. Dong, S. N. Holmes, C. J. Palmstrom, M. Pepper,
• Abstract要約: InP基板上に成長した高モビリティInAs量子点接触の磁気電子特性を報告する。 1Dコンダクタンスは最大17プラトーに達し、2e2/hの単位で量子化され、eは電荷の基本単位、hはプランク定数となる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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• Abstract: In this letter, we report the magneto-electronic properties of high mobility InAs quantum point contacts grown on InP substrates. The 1D conductance reaches a maximum value of 17 plateaus, quantized in units of 2e^2/h, where e is the fundamental unit of charge and h is Planck's constant. The in-plane effective g-factor was estimated to be -10.9 +/- 1.5 for subband N = 1 and -10.8 +/- 1.6 for subband N = 2. Furthermore, a study of the non-magnetic fractional conductance states at 0.2 (e^2/h) and 0.1(e2/h is provided. While their origin remains under discussion, evidence suggests that they arise from strong electron-electron interactions and momentum-conserving backscattering between electrons in two distinct channels within the 1D region. This phenomenon may also be interpreted as an entanglement between the two channel directions facilitated by momentum-conserving backscattering.
• Abstract（参考訳）: 本稿では,InP基板上に成長した高モビリティInAs量子点接触の磁気電子特性について報告する。 1Dコンダクタンスは最大17プラトーに達し、2e^2/hの単位で量子化され、eは電荷の基本単位、hはプランク定数となる。 平面上の有効g因子は、サブバンド N = 1 に対して -10.9 +/- 1.5 、サブバンド N = 2 に対して -10.8 +/- 1.6 と推定された。 さらに、0.2(e^2/h)および0.1(e^2/h)の非磁性分数伝導状態の研究を行う。 その起源は議論中であるが、強い電子-電子相互作用と1D領域内の2つの異なるチャネルの電子間の運動量-保存後方散乱から生じる証拠が示唆されている。 この現象は、運動量保存後方散乱によって促進される2つのチャネル方向の絡み合いとも解釈できる。

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