論文の概要: Quantum entanglement of multiple excitons in strained graphene

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2405.16024v1
• Date: Sat, 25 May 2024 02:52:45 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-05-29 01:29:38.762932
• Title: Quantum entanglement of multiple excitons in strained graphene
• Title（参考訳）: ひずみグラフェン中の多重励起子の量子絡み合い
• Authors: Gabriel P. Martins, Oleg Berman, Godfrey Gumbs, Yurii E. Lozovik,
• Abstract要約: 複数の量子ビットの絡み合った状態は、量子誤り訂正符号に有用である。 我々は,原子状量子ビットとして扱われる最大5個の励起子からなる系の絡み合い力学を研究した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We studied the effects arising from a coherent source of photons on the entanglement between excitons in a strained graphene monolayer. The graphene layer was considered to be embedded in an imperfect optical microcavity. In our investigation, we have studied the entanglement dynamics of systems consisting of up to five excitons, which are treated as atomic-like qubits. Entangled states of multiple qubits are useful in quantum error correction codes. We have monitored the time evolution of the concurrence, three-$\pi$, mutual information, and especially the negativity. We have demonstrated that coherent pumping can create lasting entanglement between the excitons. However, the entanglement only persists when the rate at which photons are pumped is smaller than the decay rate of the cavity. Our results show that the degree in entanglement between the excitons is increased with the intensity of the strain-induced pseudomagnetic field in the graphene sheet. Additionally, we have shown that a maximum amount of entanglement occurs at a finite number of excitons in the system which depends on the parameters describing the structure.
• Abstract（参考訳）: グラフェン単分子膜の励起子間の絡み合いに及ぼす光子のコヒーレント源の影響について検討した。 グラフェン層は不完全な光学的微小キャビティに埋め込まれていると考えられた。 本研究では,原子状量子ビットとして扱われる最大5個の励起子からなる系の絡み合いダイナミクスについて検討した。 複数の量子ビットの絡み合った状態は、量子誤り訂正符号に有用である。 我々は,共起の時間的進化,3-\pi$,相互情報,特に負性度を監視した。 我々はコヒーレントポンプがエキシトン間の永続的な絡み合いを生じさせることを示した。 しかし、この絡み合いは光子が励起される速度が空洞の崩壊速度よりも小さい場合にのみ持続する。 その結果, グラフェンシートのひずみ誘起擬磁場の強度により, 励起子間の絡み合いの度合いが増加することがわかった。 さらに、構造を記述するパラメータに依存する系の有限個の励起子において、最大絡み合いが生じることを示した。

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