論文の概要: Dressing trapped ions with integrated wires
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2407.09623v1
- Date: Fri, 12 Jul 2024 18:18:12 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-07-16 21:28:05.359631
- Title: Dressing trapped ions with integrated wires
- Title（参考訳）: 集積ワイヤによる捕捉イオンのドレッシング
- Authors: R. Tyler Sutherland,
- Abstract要約: 手術前後にドレッシングフィールドをアディバティカルに打ち込むと、有効ハミルトニアンが変化する。
ドレッシング場の振幅と変形は、任意の操作の特性をカスタマイズするために使用できる調整可能な自由度として作用する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We discuss dressing trapped ions with the near field of a trap integrated wire. Ramping a dressing field on/off adiabatically before/after an operation changes its effective Hamiltonian. The amplitude and detuning of the dressing field act as tunable degrees of freedom we can use to `customize' the properties of any operation. We propose three use cases for this general tool. First, we can generate `artificial' clock states, where we eliminate the (assumed to be small) linear sensitivity of a qubit. Second, we can break the degeneracies that often complicate shelving at low quantization fields\textemdash allowing us to implement operations with linearly polarized microwaves that would, otherwise, require circular polarization. Finally, we can implement laser-free single qubit gates on a set of `target' ions using fields that are separated from the rest of the computer in frequency space.
- Abstract（参考訳）: トラップ集積ワイヤの近接場におけるトラップイオンのドレッシングについて検討する。
手術前後にドレッシングフィールドをアディバティカルに打ち込むと、有効ハミルトニアンが変化する。
ドレッシング場(英語版)の振幅と変形は、任意の操作の特性を「コトミズ」するために使用できる調整可能な自由度として作用する。
この汎用ツールには3つのユースケースを提案する。
まず「人工的な」クロック状態を生成し、量子ビットの線形感度を(小さいと仮定される)排除する。
第二に、低い量子化場においてシェルビングを複雑にするデジネラシーを分解することができる。
最後に、他のコンピュータから周波数空間で分離されたフィールドを用いて、レーザーフリーの単一量子ビットゲートを「ターゲット」イオンの集合上に実装することができる。
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