論文の概要: Floquet interferometry of a dressed semiconductor quantum dot
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2407.14241v2
- Date: Mon, 19 Aug 2024 01:05:55 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-08-21 02:09:01.267157
- Title: Floquet interferometry of a dressed semiconductor quantum dot
- Title（参考訳）: 着飾った半導体量子ドットのフロケ干渉計
- Authors: Felix-Ekkehard von Horstig, Lorenzo Peri, Sylvain Barraud, Sergey N. Shevchenko, Christopher J. B. Ford, M. Fernando Gonzalez-Zalba,
- Abstract要約: 電荷貯留層に結合した半導体量子ドットトンネルにおける状態ドレッシングを実証する。
我々は、フロッケはしごの量子力学に基づく理論を開発する。
この手法が半導体量子ドットの正確な静電特性化にどのように応用されているかを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.7852714805965528
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: A quantum system interacting with a time-periodic excitation creates a ladder of hybrid eigenstates in which the system is mixed with an increasing number of photons. This mechanism, referred to as dressing, has been observed in the context of light-matter interaction in systems as varied as atoms, molecules and solid-state qubits. In this work, we demonstrate state dressing in a semiconductor quantum dot tunnel-coupled to a charge reservoir. We observe the emergence of a Floquet ladder of states in the system's high-frequency electrical response, manifesting as interference fringes at the multiphoton resonances despite the system lacking an avoided crossing. We study the dressed quantum dot while changing reservoir temperature, charge lifetime, and excitation amplitude and reveal the fundamental nature of the mechanism by developing a theory based on the quantum dynamics of the Floquet ladder, which is in excellent agreement with the data. Furthermore, we show how the technique finds applications in the accurate electrostatic characterisation of semiconductor quantum dots.
- Abstract（参考訳）: 時間周期励起と相互作用する量子系は、系の光子数の増加と混合するハイブリッド固有状態のはしごを生成する。
この機構はドレッシング(英語版)と呼ばれ、原子、分子、固体量子ビットのように変化する系の光-物質相互作用の文脈で観察されている。
本研究では、電荷貯槽に結合した半導体量子ドットトンネルにおける状態ドレッシングを実証する。
多光子共振器の干渉端として現れる高周波数電気応答におけるフロッケ状態の出現を観測した。
本研究では, 貯水池温度, 電荷寿命, 励起振幅を変化させながら, 着飾った量子ドットについて検討し, フロケ・ラダーの量子力学に基づく理論を考案し, 理論の基本的な性質を明らかにする。
さらに,半導体量子ドットの精密静電特性化への応用について述べる。
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