論文の概要: Coherent population trapping and spin relaxation of a silicon vacancy center in diamond at mK temperatures

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2409.14856v1
• Date: Mon, 23 Sep 2024 09:49:09 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-11-06 20:39:08.886446
• Title: Coherent population trapping and spin relaxation of a silicon vacancy center in diamond at mK temperatures
• Title（参考訳）: ダイヤモンド中のシリコン空孔中心のmK温度におけるコヒーレント集団トラップとスピン緩和
• Authors: Shuhao Wu, Xinzhu Li, Ian Gallagher, Benjamin Lawrie, Hailin Wang,
• Abstract要約: 1K以下では、自然に豊富な13C原子のスピン浴によって引き起こされるものと比べ、フォノン誘起のスピン脱落は無視できる。 スピン寿命の100倍近い増加は、温度が4Kから1K以下に下がったときに観測される。 2フォノンスピンフリップ遷移は、SiV基底状態のスピン緩和において重要な役割を果たす。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 4.292162781754372
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We report experimental studies of coherent population trapping and spin relaxation in a temperature range between 4 K and 100 mK in a silicon vacancy (SiV) center subject to a transverse magnetic field. Near and below 1 K, phonon-induced spin dephasing becomes negligible compared with that induced by the spin bath of naturally abundant 13C atoms. The temperature dependence of the spin dephasing rates agrees with the theoretical expectation that phonon-induced spin dephasing arises primarily from orbital relaxation induced by first order electron-phonon interactions. A nearly 100-fold increase in spin lifetime is observed when the temperature is lowered from 4 K to slightly below 1 K, indicating that two-phonon spin-flip transitions play an essential role in the spin relaxation of SiV ground states.
• Abstract（参考訳）: 横磁場を受けるシリコン空孔(SiV)中心の温度範囲4Kから100mKのコヒーレント集団トラップとスピン緩和の実験的研究を報告する。 1K以下では、自然に豊富な13C原子のスピン浴によって引き起こされるものと比べ、フォノン誘起のスピン脱落は無視できる。 スピン脱落速度の温度依存性は、フォノンによって誘起されるスピン脱落は、第一次電子-フォノン相互作用によって誘導される軌道緩和から生じるという理論的な期待と一致する。 スピン寿命の100倍近い増加は、温度が4Kから1K以下に下がったときに観測され、2フォノンスピンフリップ遷移がSiV基底状態のスピン緩和に重要な役割を果たすことが示されている。

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