Fugu-MT 論文翻訳(概要): Sub-100 Hz Intrinsic Linewidth 852 nm Silicon Nitride External Cavity Laser

論文の概要: Sub-100 Hz Intrinsic Linewidth 852 nm Silicon Nitride External Cavity Laser

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2409.17382v1
Date: Wed, 25 Sep 2024 21:56:38 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2024-09-30 11:54:28.940968
Title: Sub-100 Hz Intrinsic Linewidth 852 nm Silicon Nitride External Cavity Laser
Title（参考訳）: シリコン窒化物外部キャビティレーザーの100Hz以下固有線幅852nm
Authors: Hani Nejadriahi, Eric Kittlaus, Debapam Bose, Nitesh Chauhan, Jiawei Wang, Mathieu Fradet, Mahmood Bagheri, Andrei Isichenko, David Heim, Siamak Forouhar, Daniel Blumenthal,
Abstract要約: 動作波長852nm付近に100Hz以下の固有線幅を有する外部共振器レーザーを実演した。最大CW出力は24mW、波長可変は15nm、サイドモード抑制比は50dBを超える。
参考スコア（独自算出の注目度）: 1.6016602920341239
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: We demonstrate an external cavity laser with intrinsic linewidth below 100 Hz around an operating wavelength of 852 nm, selected for its relevance to laser cooling and manipulation of cesium atoms. This system achieves a maximum CW output power of 24 mW, wavelength tunability over 15 nm, and a side-mode suppression ratio exceeding 50 dB. This performance level is facilitated by careful design of a low-loss integrated silicon nitride photonic circuit serving as the external cavity combined with commercially available semiconductor gain chips. This approach demonstrates the feasibility of compact integrated lasers with sub-kHz linewidth centering on the needs of emerging sensor concepts based on ultracold atoms and can be further extended to shorter wavelengths via selection of suitable semiconductor gain media.
Abstract（参考訳）: レーザー冷却とセシウム原子の操作に関係し, 動作波長852nm付近に100Hz以下の固有線幅を有する外部共振器レーザを試作した。最大CW出力は24mW、波長可変は15nm、サイドモード抑制比は50dBを超える。この性能レベルは、市販の半導体ゲインチップと組み合わせて外部キャビティとして機能する低損失集積窒化ケイ素フォトニック回路を慎重に設計することによる。提案手法は, 半導体ゲイン媒質の選択により, より短い波長に拡張可能な, 超低温原子をベースとした新しいセンサ概念の必要性に着目した, サブkHzライン幅の小型集積レーザの実現可能性を示すものである。

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