Fugu-MT 論文翻訳(概要): Electron g-factor of strained Ge caused by the SiGe substrate and its dependence on growth directions

論文の概要: Electron g-factor of strained Ge caused by the SiGe substrate and its dependence on growth directions

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.01148v1
Date: Sat, 02 Nov 2024 05:59:38 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2024-11-05 21:27:04.159590
Title: Electron g-factor of strained Ge caused by the SiGe substrate and its dependence on growth directions
Title（参考訳）: SiGe基板による歪Geの電子g因子とその成長方向依存性
Authors: K. Imakire, A. Oiwa, Y. Tokura,
Abstract要約: ダイヤモンド構造を持つ歪GeSi/Ge量子井戸のGeホール系は、高性能スピン量子ビットと光遷移の可能性があるため、大きな注目を集めている。ひずみGeの電子g因子を計算し、8バンドモデルを用いて成長方向([100], [110], [111])とSiGe基板のGe含有量の両方に依存した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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Abstract: For photon-spin conversion, the Ge hole system in a strained GeSi/Ge quantum well with a diamond structure has attracted significant attention because of the potential for a high-performance spin qubit and optical transitions ranging in telecom bands. We calculated the electron g-factor for strained Ge, analyzing its dependence on both the growth directions ([100], [110], and [111]) and the Ge content of the SiGe substrate using an 8-band model. Our results indicate that the absolute values of the electron g-factor decrease with decreasing Ge content, ranging from approximately -3.0 to -1.4 for all growth directions.
Abstract（参考訳）: 光子スピン変換のために、ダイヤモンド構造を持つ歪んだGeSi/Ge量子井戸のGeホール系は、高性能なスピン量子ビットとテレコムバンドの光遷移の可能性から、大きな注目を集めている。ひずみGeの電子g因子を計算し、8バンドモデルを用いて成長方向([100], [110], [111])とSiGe基板のGe含有量の両方に依存した。以上の結果から, 電子g因子の絶対値はGe含有率の低下とともに減少し, 全成長方向の約-3.0から-1.4の範囲で減少することが示唆された。

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