論文の概要: Energy effective mass dependence of electron tunneling through CdS/CdSe,
AlxGa1-xAs/GaAs and AlSb/InAs Multiple Quantum Barriers
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2203.13358v1
- Date: Wed, 23 Mar 2022 17:24:46 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-21 02:32:42.469958
- Title: Energy effective mass dependence of electron tunneling through CdS/CdSe,
AlxGa1-xAs/GaAs and AlSb/InAs Multiple Quantum Barriers
- Title（参考訳）: CdS/CdSe, AlxGa1-xAs/GaAsおよびAlSb/InAs多重量子バリアによる電子トンネルのエネルギー有効質量依存性
- Authors: Jatindranath Gain, Madhumita Dassarkar, Sudakhina Kundu
- Abstract要約: ヘテロ構造体素子のバリアを通した電子のトンネルについて, 統一移動行列法を用いて検討した。
電子伝達係数に対するバリア幅の影響についても,半導体素子の異なる対について検討した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Tunneling of electrons through the barriers in heterostructures devices is
investigated by using the unified Transfer Matrix Method. The effect of barrier
width on electron transmission coefficients has also been examined for
different pairs of semiconductor devices of significant research interest in
current years. Such Pairs involve AlxGa1-xAs/GaAs, AlSb/InAs, and CdS/CdSe
quantum barriers with varying dimensions reduced from 20 nm to 5nm to observe
how tunneling properties are affected by scaling. The effective electron masses
in the well and barrier regions typically vary with constituent materials. It
has been shown that the transmission coefficients are significantly changed due
to the coupling. The effective mass-dependent transmission coefficients for
electron energy have been evaluated in terms of the mass discontinuity metrics.
The electron transmission coefficients for each pair of quantum structures are
plotted with the variation of its electron energy, normalized to its potential
energy. The resonant state obtained here will be beneficial for designing
detectors, optical filters, photonic-switching devices and other optoelectronic
and photonic devices.
- Abstract（参考訳）: ヘテロ構造素子のバリアを経由する電子のトンネル化を統一移動行列法を用いて検討した。
電子伝達係数に対するバリア幅の影響についても,近年の研究が盛んである半導体素子の異なる対について検討されている。
このようなペアにはAlxGa1-xAs/GaAs、AlSb/InAs、CdS/CdSe量子障壁が含まれており、スケーリングによってトンネル特性がどのように影響を受けるかを観察するために、寸法が20nmから5nmに減少する。
井戸およびバリア領域における有効電子質量は、通常構成材料によって異なる。
伝達係数はカップリングにより著しく変化していることが示されている。
電子エネルギーに対する有効質量依存伝達係数は、質量不連続性指標の観点から評価されている。
量子構造の各対の電子伝達係数は、そのポテンシャルエネルギーに正規化された電子エネルギーの変化によってプロットされる。
ここで得られる共鳴状態は、検出器、光フィルタ、フォトニックスイッチングデバイス、その他の光電子およびフォトニックデバイスの設計に有用である。
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