Fugu-MT 論文翻訳(概要): Electrical Interconnects for Silicon Spin Qubits

論文の概要: Electrical Interconnects for Silicon Spin Qubits

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.01366v1
Date: Sat, 02 Nov 2024 21:37:04 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2024-11-05 21:28:10.338267
Title: Electrical Interconnects for Silicon Spin Qubits
Title（参考訳）: シリコンスピン量子ビットの電気的相互接続
Authors: Christopher David White, Anthony Sigillito, Michael J. Gullans,
Abstract要約: 我々は長範囲のqubit相互接続を抵抗トポゲートと作成する。電子は運動量非コヒーレントであるが、必ずしもスピン非コヒーレントではない。スピン軌道結合が支配的な脅威であるが、頻繁な散乱による運動量空間の狭さは電子を部分的に保護している。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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Abstract: Scalable spin qubit devices will likely require long-range qubit interconnects. We propose to create such an interconnect with a resistive topgate. The topgate is positively biased, to form a channel between the two dots; an end-to-end voltage difference across the nanowire results in an electric field that propels the electron from source dot to target dot. The electron is momentum-incoherent, but not necessarily spin-incoherent; we evaluate threats to spin coherence due to spin-orbit coupling, valley physics, and nuclear spin impurities. We find that spin-orbit coupling is the dominant threat, but momentum-space motional narrowing due to frequent scattering partially protects the electron, resulting in characteristic decoherence lengths ~15 mm for plausible parameters.
Abstract（参考訳）: スケーラブルなスピン量子ビットデバイスは、おそらく長距離量子ビット相互接続を必要とする。我々は、抵抗性トポゲートとそのような相互接続を作成することを提案する。トポゲートは2つの点の間のチャネルを形成するために正に偏りがあり、ナノワイヤ間のエンドツーエンドの電圧差は、電子をソースドットからターゲットドットに伝播させる電場をもたらす。電子は運動量非コヒーレントであるが、必ずしもスピン非コヒーレントではない。スピン軌道結合、バレー物理学、核スピン不純物によるスピンコヒーレンスに対する脅威を評価する。スピン軌道結合が支配的な脅威であるが、頻繁な散乱による運動量空間の狭さは電子を部分的に保護し、可塑性パラメーターに特徴的なデコヒーレンス長が15mm程度になる。

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