論文の概要: Anisotropic g-Factor and Spin-Orbit Field in a Ge Hut Wire Double Quantum Dot

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2102.03707v2
• Date: Tue, 18 May 2021 05:17:16 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-12 07:26:57.933853
• Title: Anisotropic g-Factor and Spin-Orbit Field in a Ge Hut Wire Double Quantum Dot
• Title（参考訳）: ge Hut Wire Double Quantum Dotにおける異方性g因子とスピン軌道場
• Authors: Ting Zhang, He Liu, Fei Gao, Gang Xu, Ke Wang, Xin Zhang, Gang Cao, Ting Wang, Jian-Jun Zhang, Xuedong Hu, Hai-Ou Li and Guo-Ping Guo
• Abstract要約: スピン軌道場は、ナノワイヤの軸に59degの方位角を持つ平面である。 スピン軌道場の方向は、ナノワイヤに沿って強いスピン軌道相互作用を示す。 その結果、Geベースの量子プロセッサの実現可能性を確立するのに役立つ。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 19.54034980344325
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Holes in nanowires have drawn significant attention in recent years because of the strong spin-orbit interaction, which plays an important role in constructing Majorana zero modes and manipulating spin-orbit qubits. Here, from the strongly anisotropic leakage current in the spin blockade regime for a double dot, we extract the full g-tensor and find that the spin-orbit field is in plane with an azimuthal angle of 59{\deg} to the axis of the nanowire. The direction of the spin-orbit field indicates a strong spin-orbit interaction along the nanowire, which may have originated from the interface inversion asymmetry in Ge hut wires. We also demonstrate two different spin relaxation mechanisms for the holes in the Ge hut wire double dot: spin-flip cotunneling to the leads, and spin-orbit interaction within the double dot. These results help establish feasibility of a Ge-based quantum processor.
• Abstract（参考訳）: ナノワイヤのホールは、マヨラナゼロモードの構築やスピン軌道量子ビットの操作において重要な役割を果たす強いスピン軌道相互作用のために近年大きな注目を集めている。 ここでは、二重ドットのスピン遮断状態における強い異方性リーク電流から、全 g-テンソルを抽出し、スピン軌道場がナノワイヤの軸に対して59{\degの方位角を持つ平面内にあることを確認する。 スピン軌道場の方向は、ナノワイヤに沿った強いスピン軌道相互作用を示すが、これはGe小屋ワイヤの界面反転非対称性に由来する可能性がある。 また,ge hut線ダブルドットの穴に対するスピン緩和機構として,リードへのスピンフリップコネネネリングと、ダブルドット内のスピン軌道相互作用の2つの異なる機構を示す。 これらの結果はgeベースの量子プロセッサの実現可能性を確立するのに役立つ。

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