Fugu-MT 論文翻訳(概要): Giant Rabi frequencies between qubit and excited hole states in silicon quantum dots

論文の概要: Giant Rabi frequencies between qubit and excited hole states in silicon quantum dots

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.05526v1
Date: Fri, 08 Nov 2024 12:34:46 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2024-11-11 14:53:48.957375
Title: Giant Rabi frequencies between qubit and excited hole states in silicon quantum dots
Title（参考訳）: シリコン量子ドットにおける量子ビットと励起孔状態の間の巨大ラビ周波数
Authors: E. Fanucchi, G. Forghieri, A. Secchi, P. Bordone, F. Troiani,
Abstract要約: その結果, 最低励起状態を含む遷移は, 地上の2重項よりも数桁大きいRabi周波数を示すことがわかった。固有状態の対称性との明確な関係が出現し、応用バイアスによるラビ周波数の広範囲な調整が可能となる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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Abstract: Holes in Si quantum dots are being investigated for the implementation of electrically addressable spin qubits. In this perspective, the attention has been focused on the electric-field induced transitions between the eigenstates belonging to the ground doublet. Here we theoretically extend the analysis to the first excited doublet. We show that - in a prototypical quantum dot structure - transitions involving the lowest excited states display Rabi frequencies that are several orders of magnitude larger than those occurring in the ground doublet. A clear relation with the symmetries of the eigenstates emerges, and a wide tunability of the Rabi frequencies by means of the applied bias. Possible implications for multilevel manipulation schemes and for multi-hole qubit encodings can be envisioned.
Abstract（参考訳）: Si量子ドットのホールは、電気的に対応可能なスピン量子ビットの実装のために研究されている。この観点では、地中二重項に属する固有状態間の電場誘起遷移に注意が向けられている。ここでは、理論的に解析を第1の励起ダブレットまで拡張する。原型量子ドット構造において、最低励起状態を含む遷移は、基底ダブルトで発生するものよりも数桁大きいラビ周波数を示す。固有状態の対称性との明確な関係が出現し、応用バイアスによるラビ周波数の広範囲な調整が可能となる。マルチレベル演算方式やマルチホール量子ビット符号化の可能性を想定できる。

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