論文の概要: Tuning the band topology and topological Hall effect in skyrmion crystals via the spin-orbit coupling
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.06434v1
- Date: Sun, 10 Nov 2024 11:36:18 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-11-12 14:07:19.465011
- Title: Tuning the band topology and topological Hall effect in skyrmion crystals via the spin-orbit coupling
- Title(参考訳): スピン軌道結合によるスカイミオン結晶のバンドトポロジーとトポロジカルホール効果のチューニング
- Authors: Arijit Mandal, S. Satpathy, B. R. K. Nanda,
- Abstract要約: 我々は、ラシュバスピン軌道結合(SOC)の強度を変化させることで、スカイミオン結晶中のバンドトポロジとトポロジカルホール伝導率(THC)を調整可能であることを示す。
我々の研究は、スカイミオン結晶の電荷輸送を制御するための新たな道のりを示唆している。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
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- Abstract: The topological Hall effect (THE) is the result of spin-asymmetric deflection of charge carriers flowing through a non-collinear spin system. Effective manipulation of the topological Hall conductivity (THC) in skyrmions is currently a vigorous area of research with an eye towards potential spintronics application. Here, we show that the band topology and the THC in a skyrmion crystal can be tuned by changing the strength of the Rashba spin-orbit coupling (SOC), which can be accomplished via a perpendicular electric field. This results in the change of the subband Chern numbers and a transition between ordinary insulator and Chern insulator as the Rashba SOC is varied. For partially filled subbands, the Rashba SOC can tune the THC and reverse its sign, so that the direction of the Hall current is flipped. The critical Rashba strength for this depends on the skyrmion type and the carrier density. We extend our analysis to the cases of Dresselhaus and Weyl SOC as well, and show that they can be directly mapped to the Rashba SOC case and therefore lead to similar results. Our work suggests new avenues for the control of charge transport in skyrmion crystals.
- Abstract(参考訳): トポロジカルホール効果 (THE) は、非線型スピン系を流れる電荷キャリアのスピン非対称偏向の結果である。
スカイミオンにおけるトポロジカルホール伝導率(THC)の効果的な操作は、現在、スピントロニクスの潜在的な応用に向けた研究の活発な領域である。
ここでは, 垂直電場によるRashbaスピン軌道結合(SOC)の強度を変化させることで, スカイミオン結晶中のバンドトポロジーとTHCを調整可能であることを示す。
これにより、サブバンドチャーン数が変化し、ラーシュバ SOC が変化するにつれて、通常の絶縁体とチャーン絶縁体の間の遷移が変化する。
部分的に満たされたサブバンドの場合、ラシュバ SOC は THC を調整して符号を反転させることができるため、ホール電流の方向が反転する。
そのためのラシュバの強度は、スカイミオン型とキャリア密度に依存する。
Dresselhaus と Weyl SOC のケースにも解析を拡張し、Rashba SOC のケースに直接マッピングできることを示す。
我々の研究は、スカイミオン結晶の電荷輸送を制御するための新たな道のりを示唆している。
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