論文の概要: Comparative study of divacancies in 3C-, 4H- and 6H-SiC

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2503.02757v1
• Date: Tue, 04 Mar 2025 16:21:17 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-03-05 18:50:39.656372
• Title: Comparative study of divacancies in 3C-, 4H- and 6H-SiC
• Title（参考訳）: 3C-, 4H-, 6H-SiCにおける希薄化の比較研究
• Authors: Danial Shafizade, Joel Davidsson, Takeshi Ohshima, Nguyen Tien Son, Ivan G. Ivanov,
• Abstract要約: 6H-および3C-SiCの多様性は共鳴励起でも安定であると予想される。 6H-および3C-SiCの多様性は共鳴励起でも安定であると予想される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: The divacancy comprising two neighboring vacant sites in the SiC lattice is a promising defect for applications in quantum technology. So far, most work is concerned with the divacancy in 4H-SiC, whereas the divacancies in 6H- and 3C-SiC have received much less attention. Here, we outline arguments showing that the neutral charge state of the divacancies in the latter two polytypes is intrinsically stable, in contrast to that in 4H-SiC where the photoluminescence quenches in most materials for certain excitation energies (below approximately 1.3 eV). Divacancies in 6H- and 3C-SiC are anticipated to remain stable even with resonant excitation. We provide new ab initio calculation results for the charge transfer levels of divacancies in 6H- and 3C-SiC. Using the temperature dependence of the divacancy emission in 3C-SiC, we estimate the energy position of the (+|0) charge transfer level of the divacancy within the bandgap of this polytype and compare with theoretical results.
• Abstract（参考訳）: SiC格子に隣接する2つの空き地からなる空き地は、量子技術への応用に有望な欠陥である。 これまでのところ、ほとんどの研究は4H-SiCの希薄化を懸念しているが、6H-および3C-SiCの希薄化はそれほど注目されていない。 ここでは、ある励起エネルギー(約1.3 eV以下)のほとんどの材料で発光がクエンチされる4H-SiCと対照的に、後者の2つの多型における誘電体の中性電荷状態は本質的に安定であることを示す議論を概説する。 6H-および3C-SiCの多様性は共鳴励起でも安定であると予想される。 6H-および3C-SiCにおける誘電率の電荷移動レベルに対する新しいab initio計算結果を提供する。 3C-SiCにおける希釈エネルギーの温度依存性を利用して, この多型帯域内の希釈電荷の(+|0)電荷移動レベルのエネルギー位置を推定し, 理論的結果と比較した。

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