論文の概要: Selection rules in the excitation of the divacancy and the nitrogen-vacancy pair in 4H- and 6H-SiC

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2311.15124v1
• Date: Sat, 25 Nov 2023 21:59:13 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-11-29 17:03:49.932390
• Title: Selection rules in the excitation of the divacancy and the nitrogen-vacancy pair in 4H- and 6H-SiC
• Title（参考訳）: 4H-および6H-SiCにおける空孔と窒素空孔対の励起における選択規則
• Authors: Danial Shafizadeh, Joel Davidsson, Takeshi Ohshima, Igor A. Abrikosov, Nguyen T. Son, and Ivan G. Ivanov
• Abstract要約: 結晶軸(EL||c)に平行な偏光を持つ励起(共鳴性または非共鳴性)を用いて、基底子(C1h)よりも高対称性(C3v)の軸配置の光ルミネッセンス(PL)をキャンセルできることを示す。 我々は, 4H-SiC, P3系において, 1つの基底空孔配置のみを選択的に励起し, 高いコントラストを議論し, 選択的励起スペクトルにおけるデバイ・ワラー因子の増加について考察した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: In this study, we address the selection rules with respect to the polarization of the optical excitation of two colour centres in 4H-SiC and 6H-SiC with potential for applications in quantum technology, the divacancy and the nitrogen-vacancy pair. We show that the photoluminescence (PL) of the axial configurations of higher symmetry (C3v) than the basal ones (C1h) can be cancelled using any excitation (resonant or non-resonant) with polarization parallel to the crystal axis (EL||c). The polarization selection rules are determined using group-theoretical analysis and simple physical arguments showing that phonon-assisted absorption with EL||c is prohibited despite being formally allowed by group theory. A comparison with the selection rules for the silicon vacancy, another defect with C3v symmetry, is also carried out. Using the selection rules, we demonstrate selective excitation of only one basal divacancy configuration in 4H-SiC, the P3 line and discuss the higher contrast and increased Debye-Waller factor in the selectively excited spectrum.
• Abstract（参考訳）: 本研究では, 4H-SiC と 6H-SiC における2色中心の光励起の偏光に関する選択規則を, 量子技術, 希薄度, 窒素空孔対への応用の可能性について検討する。 結晶軸に平行な偏光(el||c)を持つ励起(共振または非共振)により、基底系(c1h)よりも高対称性(c3v)の軸配置の光発光(pl)をキャンセルできることを示した。 偏極選択規則は、群理論によって正式に許容されているにもかかわらず、EL||cによるフォノンアシスト吸収が禁止されていることを示す単純な物理理論とグループ理論解析を用いて決定される。 また、c3v対称性を有する別の欠陥であるシリコン空隙の選択規則との比較も行う。 選択規則を用いて, 4H-SiC, P3線中の1つの基底空孔構成の選択的励起を示し, 高いコントラストを議論し, 選択的励起スペクトルにおけるDebye-Waller因子を増加させた。

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