論文の概要: Quantum Entanglement Response to Step-like Gate Modulation
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2503.09935v1
- Date: Thu, 13 Mar 2025 01:13:27 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-03-14 15:52:21.027878
- Title: Quantum Entanglement Response to Step-like Gate Modulation
- Title（参考訳）: ステップ様ゲート変調による量子エンタングルメント応答
- Authors: E. M. Fernandes, L. Sanz, F. M. Souza,
- Abstract要約: 2つの相互作用する電荷量子ビットの絡み合い形成に及ぼすステップ状ゲート電圧の影響について検討する。
密度行列形式論の枠組みの中で, 忠実度, 線形エントロピー, 負性度を計算する。
結果は、相互作用する電荷量子ビットにおける絡み合いの将来の実験的実現に寄与する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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- Abstract: We examine the influence of a step-like gate voltage on the entanglement formation of two interacting charge qubits, where charge is injected on demand into the qubits. The gate voltage modulates the tunnel coupling between the qubits and two electronic reservoirs (leads), which supply the initial charges to the system. The qubits interact capacitively through Coulomb repulsion, and the interplay between Coulomb interactions and hopping processes leads to the formation of entangled states. Our analysis focuses on how the physical parameters of the gate pulse affect the degree of entanglement. In pursuit of this aim, we calculate fidelity, linear entropy, and negativity within the framework of density matrix formalism. Our analysis demonstrate how to optimize the gate pulse to reach a ``sweet spot'' that maximizes entanglement, even in the presence of additional dephasing sources. These results could contribute to the future experimental realization of entanglement in interacting charge qubits.
- Abstract（参考訳）: 2つの相互作用する電荷量子ビットの絡み合い形成に及ぼすステップ状のゲート電圧の影響を検討した。
ゲート電圧は、キュービットと2つの電子貯水池(リード)の間のトンネル結合を変調し、システムに初期電荷を供給する。
クォービットはクーロン反発によって容量的に相互作用し、クーロン相互作用とホッピング過程の間の相互作用は絡み合った状態を形成する。
本分析は,ゲートパルスの物理的パラメータが絡み合いの程度にどのように影響するかに着目した。
この目的を追求するために、密度行列形式論の枠組みの中で、忠実度、線形エントロピー、負性を計算する。
本分析では, 追加の劣化源が存在する場合でも, 絡み合いを最大化する「甘い点」に達するようにゲートパルスを最適化する方法を実証する。
これらの結果は、相互作用する電荷量子ビットにおける絡み合いの将来の実験的実現に寄与する。
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