Fugu-MT 論文翻訳(概要): How valley-orbit states in silicon quantum dots probe quantum well interfaces

論文の概要: How valley-orbit states in silicon quantum dots probe quantum well interfaces

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2103.14702v2
Date: Wed, 6 Apr 2022 17:22:23 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-04-06 19:10:59.439546
Title: How valley-orbit states in silicon quantum dots probe quantum well interfaces
Title（参考訳）: シリコン量子ドットの谷軌道状態が量子井戸界面を調べる方法
Authors: J. P. Dodson, H. Ekmel Ercan, J. Corrigan, Merritt Losert, Nathan Holman, Thomas McJunkin, L. F. Edge, Mark Friesen, S. N. Coppersmith, M. A. Eriksson
Abstract要約: ゲート電圧の変化によりドット電位が変化した1電子と2電子のバレー軌道状態エネルギーの測定を行った。その結果、物理的コントリビューション間の相互作用を理解し、量子井戸界面の新しいプローブを可能にする。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: The energies of valley-orbit states in silicon quantum dots are determined by an as yet poorly understood interplay between interface roughness, orbital confinement, and electron interactions. Here, we report measurements of one- and two-electron valley-orbit state energies as the dot potential is modified by changing gate voltages, and we calculate these same energies using full configuration interaction calculations. The results enable an understanding of the interplay between the physical contributions and enable a new probe of the quantum well interface.
Abstract（参考訳）: シリコン量子ドットにおける谷軌道状態のエネルギーは、界面の粗さ、軌道閉じ込め、電子相互作用の間の相互作用によって決定される。本稿では,ゲート電圧の変動によりドットポテンシャルが変化した1電子および2電子のバレー軌道状態エネルギーの測定を報告し,これら同じエネルギーをフルコンフィグレーション相互作用計算を用いて計算する。この結果は、物理的貢献間の相互作用の理解を可能にし、量子井戸界面の新しいプローブを可能にする。

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