論文の概要: Inverse Drexhage effect in Epsilon-Near-Zero Substrates
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2504.15593v1
- Date: Tue, 22 Apr 2025 05:14:05 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-04-30 22:21:44.161674
- Title: Inverse Drexhage effect in Epsilon-Near-Zero Substrates
- Title（参考訳）: エプシロン-ナアー-ゼロ基板の逆延伸効果
- Authors: Sandeep Kumar Chamoli, Mohamed ElKabbash,
- Abstract要約: その結果, エプシロン・ニアゼロ(ENZ)基板では, 自発放出速度の観測方向と距離依存性は金属と比較して逆になることがわかった。
我々の結果は、量子センシング、量子情報、エネルギー効率の良い光電子デバイスに応用できるかもしれない。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The Drexhage effect, caused by interference between a dipole and its image formed in a substrate, modifies the local density of optical states of quantum emitters which can either enhance or suppress their spontaneous emission rate depending on the dipole orientation and distance from the substrate. Here, we show that for an epsilon-near-zero (ENZ) substrate, the observed orientation and distance dependence of the spontaneous emission rate is reversed compared to metals. This inverse Drexhage effect is studied for ideal ENZ and real ENZ substrates compared with ideal and real metallic substrates. ENZ metamaterials consisting of a subwavelength metal-dielectric stack are shown to exhibit the conventional Drexhage effects due to the large optical losses associated with these materials. Our results could find applications in quantum sensing, quantum information, and energy-efficient optoelectronic devices.
- Abstract（参考訳）: 基板上に形成された双極子とその画像との干渉によって引き起こされるドレキセージ効果は、基板からの双極子方向と距離に応じて自発放出率を増強または抑制できる量子エミッタの光学状態の局所密度を変化させる。
ここでは, エプシロン・ニアゼロ(ENZ)基板において, 自発放出速度の観測方向と距離依存性は金属と比較して逆であることを示す。
この逆ドレッサージ効果は、理想のENZ基板と実のENZ基板に対して、理想のおよび実の金属基板と比較して研究される。
サブ波長の金属-誘電体スタックからなるENZメタマテリアルは、これらの材料に付随する光学的損失が大きいため、従来のドレッサー効果を示す。
我々の結果は、量子センシング、量子情報、エネルギー効率の良い光電子デバイスに応用できるかもしれない。
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