論文の概要: A sub-volt near-IR lithium tantalate electro-optic modulator
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2505.00906v1
- Date: Thu, 01 May 2025 22:59:46 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-05-05 17:21:19.859483
- Title: A sub-volt near-IR lithium tantalate electro-optic modulator
- Title（参考訳）: サブ電圧近赤外リチウムタンタル酸リチウム電気光学変調器
- Authors: Keith Powell, Dylan Renaud, Xudong Li, Daniel Assumpcao, C. J. Xin, Neil Sinclair, Marko Lončar,
- Abstract要約: 薄膜タンタル酸リチウムの737nmにおける低損失集積型マッハ・ツェンダー変調器を実証した。
小さな2ドル2Bの直流バイアスドリフトは、周囲の条件下で4.3dBmのオンチップパワーを使用して16分間にわたって測定される。
薄膜タンタル酸リチウム導波路の光損失係数0.5dB/cmを, リング共振器を用いて638nmと推定した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.270718831125336
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Abstract: We demonstrate a low-loss integrated electro-optic Mach-Zehnder modulator in thin-film lithium tantalate at 737 nm, featuring a low half-wave voltage-length product of 0.65 V$\cdot$cm, an extinction ratio of 30 dB, low optical loss of 5.3 dB, and a detector-limited bandwidth of 20 GHz. A small $<2$ dB DC bias drift relative to quadrature bias is measured over 16 minutes using 4.3 dBm of on-chip power in ambient conditions, which outperforms the 8 dB measured using a counterpart thin-film lithium niobate modulator. Finally, an optical loss coefficient of 0.5 dB/cm for a thin-film lithium tantalate waveguide is estimated at 638 nm using a fabricated ring resonator.
- Abstract（参考訳）: 737nmの薄膜リチウムタンタル酸塩中の低損失集積型Mch-Zehnder変調器を試作し, 半波長の0.65V$\cdot$cm, 30dB, 光学損失5.3dB, 検出器帯域幅20GHzの低損失化を行った。
周囲の条件下で4.3dBmのオンチップパワーを使用して、二次バイアスに対する小さな$<2$dBのDCバイアスドリフトを16分以上測定し、これは他方の薄膜のニオブ酸リチウム変調器で測定された8dBより優れている。
最後に、薄膜タンタル酸リチウム導波路の光損失係数0.5dB/cmを、リング共振器を用いて638nmと推定する。
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