論文の概要: 3D-Integrated Superconducting qubits: CMOS-Compatible, Wafer-Scale Processing for Flip-Chip Architectures

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2505.04337v2
• Date: Tue, 20 May 2025 12:37:55 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-05-21 14:49:52.163241
• Title: 3D-Integrated Superconducting qubits: CMOS-Compatible, Wafer-Scale Processing for Flip-Chip Architectures
• Title（参考訳）: 3D-Integrated Superconducting qubits: CMOS-Compatible, Wafer-Scale Processing for Flip-Chip Architectures
• Authors: T. Mayer, H. Bender, S. J. K. Lang, Z. Luo, J. Weber, C. Moran Guizan, C. Dhieb, D. Zahn, L. Schwarzenbach, W. Hell, M. Andronic, A. Drost, K. Neumeier, W. Lerch, L. Nebrich, A. Hagelauer, I. Eisele, R. N. Pereira, C. Kutter,
• Abstract要約: 本稿では,フリップチップ結合による超伝導量子ビット素子の3次元集積化とCMOS加工標準による加工技術について述べる。 量子ビットの時間領域分光では、エネルギー緩和時間の最大15時間で高収率の量子ビット励起が見つかる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: In this article, we present a technology development of a superconducting qubit device 3D-integrated by flip-chip-bonding and processed following CMOS fabrication standards and contamination rules on 200 mm wafers. We present the utilized proof-of-concept chip designs for qubit- and carrier chip, as well as the respective front-end and back-end fabrication techniques. In characterization of the newly developed microbump technology based on metallized KOH-etched Si-islands, we observe a superconducting transition of the used metal stacks and radio frequency (RF) signal transfer through the bump connection with negligible attenuation. In time-domain spectroscopy of the qubits we find high yield qubit excitation with energy relaxation times of up to 15 us.
• Abstract（参考訳）: 本稿では,200mmウエハ上でのCMOS製造基準および汚染ルールに従って,フリップチップボンディングにより集積された超伝導量子ビットデバイス3Dの技術開発について述べる。 本稿では, 量子ビットおよびキャリアチップの実証・概念チップ設計と, フロントエンド・バックエンド製造技術について述べる。 メタライズしたKOHエッチングSiアイソランをベースとした新しいマイクロバンプ技術のキャラクタリゼーションにおいて, 使用済み金属スタックの超伝導遷移と非無視減衰によるバンプ接続を経由する高周波信号伝達を観察する。 量子ビットの時間領域分光では、エネルギー緩和時間の最大15時間で高収率の量子ビット励起が見つかる。

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