論文の概要: Evidence of Memory Effects in the Dynamics of Two-Level System Defect Ensembles Using Broadband, Cryogenic Transient Dielectric Spectroscopy
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2505.18263v1
- Date: Fri, 23 May 2025 18:01:07 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-05-27 16:58:42.310487
- Title: Evidence of Memory Effects in the Dynamics of Two-Level System Defect Ensembles Using Broadband, Cryogenic Transient Dielectric Spectroscopy
- Title(参考訳): 広帯域極低温過渡誘電体分光法による二層系欠陥アンサンブルのダイナミクスにおける記憶効果の証拠
- Authors: Qianxu Wang, Sara Magdalena Gómez, Juan S. Salcedo-Gallo, Roy Leibovitz, Jake Freeman, Salil Bedkihal, Mattias Fitzpatrick,
- Abstract要約: 誘電体中の2レベル系欠陥(TLS)は超伝導回路におけるデコヒーレンスの主要な原因であると考えられている。
ブロードバンド3D導波路を用いたTLS欠陥アンサンブルの低温誘電応答の探索を可能にする新しい手法を提案する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Two-level system defects (TLSs) in dielectrics are believed to be the primary source of decoherence in superconducting circuits. However, the precise origin of these defects, including their atomistic morphology, frequency distributions, and dipole moments, remains relatively unexplored. A significant reason for this lack of understanding is that TLS defects are currently probed with resonators or qubits that require complex multi-stage fabrication processes. These probes are packaged, cooled in a dilution refrigerator, and measured to infer their corresponding coherence times. However, even frequency-tunable probes only gather information about TLS defects within their mode volume and a narrow bandwidth around their resonance frequency. As a result, a detailed understanding of the atomistic origins of TLS defects in isolated materials and interfaces is currently lacking, making it challenging to design the next generation of superconducting devices and dielectric materials from first principles. Here, we introduce a novel approach that enables probing the cryogenic dielectric response of TLS defect ensembles using a broadband 3D waveguide. This technique provides evidence of memory effects in the dynamics of TLS defect ensembles that may enable the extraction of critical information about the origins of the underlying TLS defects and their interactions. Importantly, this novel spectroscopy technique can be used at all stages of fabrication and ultimately inform mitigation strategies to reduce the impact of TLS defects on superconducting circuits. As a result, this technique will help usher in a new understanding of the atomistic origin of TLS defects, which will have profound consequences for quantum information science and the broader materials science community.
- Abstract(参考訳): 誘電体中の2レベル系欠陥(TLS)は超伝導回路におけるデコヒーレンスの主要な原因であると考えられている。
しかし、これらの欠陥の正確な起源は、その原子構造、周波数分布、双極子モーメントを含む比較的未解明のままである。
この理解の欠如の大きな理由は、TLS欠陥が複雑な多段加工プロセスを必要とする共振器や量子ビットで現在調査されていることである。
これらのプローブはパッケージ化され、希釈冷凍機で冷却され、対応するコヒーレンス時間を推定するために測定される。
しかし、周波数可変プローブでさえ、モードボリューム内のTLS欠陥に関する情報のみを収集し、共振周波数周辺の狭い帯域幅を収集する。
その結果、孤立した材料や界面におけるTLS欠陥の原子学的起源の詳細な理解は、現在不足しており、次世代の超伝導デバイスや誘電体材料を第一原理から設計することは困難である。
本稿では,ブロードバンド3D導波路を用いたTLS欠陥アンサンブルの低温誘電応答の探索を可能にする新しい手法を提案する。
この技術はTLS欠陥アンサンブルの力学における記憶効果の証拠を提供し、基礎となるTLS欠陥の起源とその相互作用に関する重要な情報を抽出することができる。
重要なことに、この新しい分光法は製造のあらゆる段階で使用することができ、最終的に超伝導回路におけるTLS欠陥の影響を低減するための緩和戦略を通知することができる。
結果として、この技術はTLS欠陥の原子学的起源の新たな理解を促進するのに役立ち、量子情報科学とより広い材料科学コミュニティに重大な影響をもたらすだろう。
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