論文の概要: Statistics of Strongly Coupled Defects in Superconducting Qubits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2506.00193v1
- Date: Fri, 30 May 2025 20:05:19 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-06-04 21:47:32.491768
- Title: Statistics of Strongly Coupled Defects in Superconducting Qubits
- Title（参考訳）: 超伝導量子ビットにおける強結合欠陥の統計
- Authors: S. Weeden, D. C. Harrison, S. Patel, M. Snyder, E. J. Blackwell, G. Spahn, S. Abdullah, Y. Takeda, B. L. T. Plourde, J. M. Martinis, R. McDermott,
- Abstract要約: 本研究では,フラックス可変トランスモンの動作周波数におけるエネルギー緩和度を測定した。
我々の結果は、個々の界面欠陥に支配される損失と一致している。
我々は、支配的な欠陥をクビット接合の500nm以内に局所化することができる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Decoherence in superconducting qubits is dominated by defects that reside at amorphous interfaces. Interaction with discrete defects results in dropouts that complicate qubit operation and lead to nongaussian tails in the distribution of qubit energy relaxation time $T_1$ that degrade system performance. Spectral diffusion of defects over time leads to fluctuations in $T_1$, posing a challenge for calibration. In this work, we measure the energy relaxation of flux-tunable transmons over a range of operating frequencies. We vary qubit geometry to change the interface participation ratio by more than an order of magnitude. Our results are consistent with loss dominated by discrete interfacial defects. Moreover, we are able to localize the dominant defects to within 500 nm of the qubit junctions, where residues from liftoff are present. These results motivate new approaches to qubit junction fabrication that avoid the residues intrinsic to the liftoff process.
- Abstract（参考訳）: 超伝導量子ビットのデコヒーレンスは、非晶質界面に存在する欠陥によって支配される。
離散的な欠陥との相互作用は、キュービット演算を複雑にし、キュービットエネルギー緩和時間$T_1$の分布において非ガウスのテールをもたらすドロップアウトをもたらす。
時間とともに欠陥のスペクトル拡散はT_1$の変動をもたらし、校正に挑戦する。
本研究では,フラックス可変トランスモンの動作周波数におけるエネルギー緩和を計測する。
我々は、界面の参加率を桁違いに変化させるために、キュービット幾何学を変化させる。
我々の結果は、個々の界面欠陥に支配される損失と一致している。
さらに、主欠陥をクビット接合の500nm以内に局在させることができ、そこではリフトオフからの残基が存在する。
これらの結果は、リフトオフ過程に固有の残基を避けるために、クォービット接合形成への新しいアプローチを動機付けている。
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