論文の概要: Surrogate models to optimize plasma assisted atomic layer deposition in high aspect ratio features
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2506.09313v1
- Date: Wed, 11 Jun 2025 01:07:55 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-06-13 06:35:02.16159
- Title: Surrogate models to optimize plasma assisted atomic layer deposition in high aspect ratio features
- Title(参考訳): 高アスペクト比特性におけるプラズマ支援原子層堆積の最適化のためのサロゲートモデル
- Authors: Angel Yanguas-Gil, Jeffrey W. Elam,
- Abstract要約: 我々は、断面厚みデータに基づいて飽和時間を予測するために、人工ニューラルネットワークを訓練する。
表面再結合がPEALDプロセスのプラズマ-表面相互作用を99%の精度で支配するかどうかを決定するために訓練された代理モデルである。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.11510009152620666
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: In this work we explore surrogate models to optimize plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) in high aspect ratio features. In plasma-based processes such as PEALD and atomic layer etching, surface recombination can dominate the reactivity of plasma species with the surface, which can lead to unfeasibly long exposure times to achieve full conformality inside nanostructures like high aspect ratio vias. Using a synthetic dataset based on simulations of PEALD, we train artificial neural networks to predict saturation times based on cross section thickness data obtained for partially coated conditions. The results obtained show that just two experiments in undersaturated conditions contain enough information to predict saturation times within 10% of the ground truth. A surrogate model trained to determine whether surface recombination dominates the plasma-surface interactions in a PEALD process achieves 99% accuracy. This demonstrates that machine learning can provide a new pathway to accelerate the optimization of PEALD processes in areas such as microelectronics. Our approach can be easily extended to atomic layer etching and more complex structures.
- Abstract(参考訳): 本研究では,プラズマ強化原子層堆積(PEALD)を高アスペクト比で最適化するための代理モデルについて検討する。
PEALDや原子層エッチングのようなプラズマベースのプロセスでは、表面のリコンビネーションがプラズマ種と表面との反応性を左右する可能性があるため、高アスペクト比のようなナノ構造内の完全な整合性を達成するために、表面の露出時間が信じられないほど長い。
PEALDのシミュレーションに基づく合成データセットを用いて,部分被覆条件下で得られた断面厚さデータに基づいて,人工ニューラルネットワークを用いて飽和時間を予測する。
その結果、不飽和条件下での2つの実験で、地上の真理の10%以内の飽和時間を予測するのに十分な情報が含まれていることがわかった。
PEALDプロセスにおいて、表面再結合がプラズマと表面の相互作用を支配するかどうかを決定するために訓練された代理モデルにより、99%の精度が達成される。
このことは、機械学習がマイクロエレクトロニクスなどの分野におけるPEALDプロセスの最適化を加速する新しい経路を提供することを示す。
我々のアプローチは原子層エッチングやより複雑な構造に容易に拡張できる。
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