論文の概要: Sensing Electric Currents in an a-IGZO TFT-Based Circuit Using a Quantum Diamond Microscope
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2506.17742v1
- Date: Sat, 21 Jun 2025 15:38:58 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-06-24 19:06:36.563116
- Title: Sensing Electric Currents in an a-IGZO TFT-Based Circuit Using a Quantum Diamond Microscope
- Title（参考訳）: 量子ダイヤモンド顕微鏡を用いたa-IGZO TFT回路の電流検出
- Authors: Mayana Yousuf Ali Khan, Pralekh Dubey, Lakshmi Madhuri P, Ashutosh Kumar Tripathi, Phani Kumar Peddibothla, Pydi Ganga Bahubalindruni,
- Abstract要約: 量子ダイヤモンド顕微鏡(Quantum Diamond Microscope、QDM)は、電子回路のキャラクタリゼーションを可能にする新しい磁気イメージングツールである。
16アモルファス-インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)からなる電流ミラー回路のウエハレベル電流検出を実証する。
本研究は, 新興半導体技術の非侵襲診断ツールとしてのQDMの機能を明らかにするものである。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: The Quantum Diamond Microscope (QDM) is an emerging magnetic imaging tool enabling noninvasive characterization of electronic circuits through spatially mapping current densities. In this work, we demonstrate wafer-level current sensing of a current mirror circuit composed of 16 amorphous-indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs). a-IGZO TFTs are promising for flexible electronics due to their high performance. Using QDM, we obtain two-dimensional (2D) magnetic field images produced by DC currents, from which accurate current density maps are extracted. Notably, QDM measurements agree well with conventional electrical probing measurements, and enable current sensing in internal circuit paths inaccessible via conventional methods. Our results highlight QDM's capability as a noninvasive diagnostic tool for the characterization of emerging semiconductor technologies, especially oxide-based TFTs. This approach provides essential insights to fabrication engineers, with potential to improve yield and reliability in flexible electronics manufacturing.
- Abstract（参考訳）: 量子ダイヤモンド顕微鏡(Quantum Diamond Microscope、QDM)は、電流密度を空間的にマッピングすることで、電子回路の非侵襲的な特性評価を可能にする新興磁気イメージングツールである。
本研究では,16個のアモルファス-インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)からなる電流ミラー回路のウエハレベル電流検出を実証する。
A-IGZO TFTは高性能のためにフレキシブルエレクトロニクスを約束している。
QDMを用いて直流電流によって生成された2次元(2次元)磁場画像を取得し、そこから正確な電流密度マップを抽出する。
特に、QDM測定は従来の電気探査測定とよく一致し、従来の方法ではアクセスできない内部回路路の電流検出を可能にする。
本研究は, 新興半導体技術, 特に酸化物系TFTの非侵襲診断ツールとしてのQDMの機能を明らかにするものである。
このアプローチは、フレキシブルエレクトロニクス製造における歩留まりと信頼性を向上させる可能性を秘めている製造技術者に重要な洞察を与える。
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