Fugu-MT 論文翻訳(概要): Casimir force between two dielectric layers: Van Kampen approach

論文の概要: Casimir force between two dielectric layers: Van Kampen approach

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2508.00025v1
Date: Tue, 29 Jul 2025 10:34:05 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2025-08-04 18:08:53.584803
Title: Casimir force between two dielectric layers: Van Kampen approach
Title（参考訳）: 2つの誘電体層間のカシミール力--ヴァンカンペンアプローチ
Authors: Michael Davidovich,
Abstract要約: 厚さに対する強度の依存性は、10nmの厚さで飽和した複雑な特性を持つ。カシミールモデルとローレンツモデルとの対応を示す。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: The Van Kampen method is used to calculate the Casimir force for two dielectric layers. Several terms of Lorentz oscillators are used in the permittivity model. A conductive dielectric (metal) with the Drude model is considered as a special case. The dependence of strength on thickness has a complex character with saturation at thicknesses of the order of 10 nm. At low thickness, the force density is proportional to the square of the thickness, but this is the case at low thicknesses, when the continuum model is no longer applicable. The correspondence between the method of the Casimir model and the Lorentz model is shown, as well as its applicability for an arbitrary configuration of layers and for a finite temperature.
Abstract（参考訳）: ヴァンカンペン法は、2つの誘電体層のカシミール力を計算するために用いられる。誘電率モデルではローレンツ発振器のいくつかの用語が用いられる。ドルーデ模型を用いた導電性誘電体(金属)が特別な場合と考えられる。厚さに対する強度の依存性は、10nmの厚さで飽和した複雑な特性を持つ。低厚さでは、力密度は厚さの正方形に比例するが、これは、連続体モデルがもはや適用されない低厚さの場合である。カシミールモデルとローレンツモデルとの対応性を示すとともに、任意の層配置と有限温度への適用性を示す。

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