論文の概要: Electrical control of quantum dots in GaAs-on-insulator waveguides for coherent single-photon generation

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2508.04584v1
• Date: Wed, 06 Aug 2025 16:07:49 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-08-07 20:09:22.811643
• Title: Electrical control of quantum dots in GaAs-on-insulator waveguides for coherent single-photon generation
• Title（参考訳）: コヒーレント単一光子発生のためのGaAsオン絶縁体導波路における量子ドットの電気的制御
• Authors: Hanna Salamon, Ying Wang, Arnulf Snedker-Nielsen, Atefeh Shadmani, Rüdiger Schott, Mircea Balauroiu, Nicolas Volet, Arne Ludwig, Leonardo Midolo,
• Abstract要約: スケーラブル量子技術に不可欠なコヒーレント量子エミッタとシリコンフォトニックプラットフォームの統合 SiO2/Si基板上に結合し、低損失SiN導波路と結合したGaAs導波路に埋め込まれた電気制御自己集合量子ドットを実証した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.251842125941065
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: The integration of coherent quantum emitters with silicon photonic platforms essential for scalable quantum technologies. We demonstrate electrically controlled self-assembled quantum dots embedded in GaAs waveguides bonded onto a SiO2/Si substrate and coupled to low-loss SiN waveguides. Our approach uses a die-to-die adhesive bonding process to realize a GaAs-on-insulator platform incorporating a p-i-n junction for charge noise suppression and Stark tuning of excitonic transitions. Resonance fluorescence measurements reveal narrow optical linewidths below 2 {\mu}eV and high single-photon purity, matching the performance of unprocessed GaAs devices. These results establish a practical route to integrate high-coherence quantum light sources with mature silicon photonics, enabling scalable quantum photonic integrated circuits
• Abstract（参考訳）: コヒーレント量子エミッタとシリコンフォトニックプラットフォームの統合は、スケーラブルな量子技術に必須である。 SiO2/Si基板上に結合し、低損失SiN導波路と結合したGaAs導波路に埋め込まれた電気制御自己集合量子ドットを実証した。 本手法では, 電荷雑音抑制のためのp-i-n接合と励起遷移のスタークチューニングを組み込んだGaAs-on-insulatorプラットフォームを実現するために, ダイツーディー接着法を用いている。 共鳴蛍光測定により、2 {\mu}eV以下の細い光線幅と高い単光子純度が示され、未処理のGaAsデバイスの性能と一致する。 これらの結果は、高コヒーレンスな量子光源と成熟したシリコンフォトニクスを統合するための実用的な方法を確立し、スケーラブルな量子フォトニクス集積回路を実現する。

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