論文の概要: Chern junctions in Moiré-Patterned Graphene/PbI2
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2508.04935v1
- Date: Wed, 06 Aug 2025 23:37:06 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-08-08 18:59:39.663573
- Title: Chern junctions in Moiré-Patterned Graphene/PbI2
- Title（参考訳）: Moiré-Patterned Graphene/PbI2におけるチャーン接合
- Authors: Sun Yan, M. Monteverde, V. Derkach, K. Watanabe, T. Taniguchi, F. Chiodi, H. Bouchiat, A. D. Chepelianskii,
- Abstract要約: モワール族にPbI2を導入し、モワール超格子の磁気輸送特性について検討する。
高磁場量子ホール系では、電荷中立点において、ロバストな無散逸輸送が観測される。
また、チャーン数 vm = -2 の線に沿ったコヒーレント電子干渉も見られる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Abstract: Expanding the moir\'e material library continues to unlock novel quantum phases and emergent electronic behaviors. In this work, we introduce PbI2 into the moir\'e family and investigate the magnetotransport properties of moir\'e superlattice in a hexagonal boron nitride/graphene/PbI2 heterostructures. In high-field quantum Hall regime, we observe a robust dissipationless transport at charge neutrality point, indicative of incompressible states stabilized at the filling factor vh = 0. Additionally, a fractional conductance plateau at 2/3 e2/h emerges, which we attribute to a Chern junction between domains with distinct Chern numbers originating from moir\'e-modulated and conventional integer quantum Hall states. The moir\'e Hofstadter spectrum displays an unconventional flavor sequence, likely influenced by proximity-induced spin-orbit coupling from the PbI2 layer. We also see coherent electronic interference along lines with Chern number vm = -2. These findings position PbI2-based heterostructures as a versatile platform for realizing spin-orbit-enhanced moir\'e phenomena and engineering coherent edge transport in two-dimensional quantum materials.
- Abstract（参考訳）: moir\'e の材料ライブラリを拡張することで、新しい量子相と創発的な電子的挙動が解き放たれる。
本研究は、PbI2をモアレエ族に導入し、ヘキサゴナル窒化ホウ素/グラフェン/PbI2ヘテロ構造におけるモアレエ超格子の磁気輸送特性について検討する。
高磁場量子ホール状態において、充填係数 vh = 0 で安定化された非圧縮状態の指標である電荷中立点における頑健な無散逸輸送を観測する。
さらに、2/3 e2/hの分数導電性プラトーが出現し、これはモーア=エ変調および従来の整数量子ホール状態から派生したチャーン数の異なる領域間のチャーン接合に起因している。
moir\'e Hofstadterスペクトルは、PbI2層からの近接誘起スピン軌道カップリングの影響を受けやすい、伝統的でないフレーバー配列を示す。
また、チャーン数 vm = -2 の線に沿ったコヒーレント電子干渉も見られる。
これらの知見は、PbI2をベースとしたヘテロ構造を、2次元量子材料におけるスピン軌道拡大モワール'e現象とエンジニアリングコヒーレントエッジ輸送を実現するための汎用的なプラットフォームとして位置づけた。
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