論文の概要: Design and Dynamics of High-Fidelity Two-Qubit Gates with Electrons on Helium
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2509.13946v1
- Date: Wed, 17 Sep 2025 13:15:13 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-09-18 18:41:50.850182
- Title: Design and Dynamics of High-Fidelity Two-Qubit Gates with Electrons on Helium
- Title(参考訳): ヘリウム上に電子を持つ高忠実二量子ゲートの設計とダイナミクス
- Authors: Oskar Leinonen, Jonas B. Flaten, Stian D. Bilek, Øyvind S. Schøyen, Morten Hjorth-Jensen, Niyaz R. Beysengulov, Zachary J. Stewart, Jared D. Weidman, Angela K. Wilson,
- Abstract要約: 高速で高忠実な2ビットゲートは超流動ヘリウムシステムで実現可能であることを示す。
この研究から得られた知見により、ヘリウム上の電子を用いた2量子ゲートの実験的な実現が可能であると信じている。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Systems of individual electrons electrostatically trapped on condensed noble gas surfaces have recently attracted considerable interest as potential platforms for quantum computing. The electrons form the qubits of the system, and the purity of the noble gas surface protects the relevant quantum properties of each electron. Previous work has indicated that manipulation of a confining double-well potential for electrons on superfluid helium can generate entanglement suitable for two-qubit gate operations. In this work, we incorporate a time-dependent tuning of the potential shape to further explore operation of two-qubit gates with the superfluid helium system. Through numerical time evolution, we show that fast, high-fidelity two-qubit gates can be achieved. In particular, we simulate operation of the \sqiswap and CZ gates and obtain fidelities of 0.999 and 0.996 with execution times of 2.9~ns and 9.4~ns, respectively. Furthermore, we examine the stability of these gate fidelities under non-ideal execution conditions, which reveals new properties to consider in the device design. With the insights gained from this work, we believe that an experimental realization of two-qubit gates using electrons on helium is feasible.
- Abstract(参考訳): 凝縮した希ガス表面に静電気的に閉じ込められた個々の電子のシステムは、近年量子コンピューティングの潜在的基盤としてかなりの関心を集めている。
電子は系の量子ビットを形成し、希ガス表面の純度はそれぞれの電子の関連する量子的性質を保護する。
これまでの研究では、超流動ヘリウム上の電子の2重井戸ポテンシャルの操作は、2量子ゲート操作に適した絡み合いを生じさせることが示されている。
本研究は,超流動ヘリウムを用いた2量子ゲートの動作について,時間依存的な電位形状のチューニングを取り入れたものである。
数値時間進化により,高速かつ高忠実な2ビットゲートが実現可能であることを示す。
特に、sqiswapとCZゲートの操作をシミュレートし、それぞれ2.9〜nsと9.4〜nsの実行時間で0.999と0.996の忠実度を得る。
さらに,非理想的実行条件下でのゲート形状の安定性について検討し,デバイス設計において考慮すべき新たな特性を明らかにする。
この研究から得られた知見により、ヘリウム上の電子を用いた2量子ゲートの実験的な実現が可能であると信じている。
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