論文の概要: A transmon qubit realized by exploiting the superconductor-insulator transition
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2510.19983v1
- Date: Wed, 22 Oct 2025 19:29:01 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-10-25 03:08:16.727988
- Title: A transmon qubit realized by exploiting the superconductor-insulator transition
- Title(参考訳): 超伝導体-絶縁体遷移を利用したトランスモン量子ビット
- Authors: C. G. L. Bøttcher, E. Önder, T. Connolly, J. Zhao, C. Kvande, D. Q. Wang, P. D. Kurilovich, S. Vaitiekėnas, L. I. Glazman, H. X. Tang, M. H. Devoret,
- Abstract要約: 超伝導量子ビットは、実用的な量子コンピュータを実現する上で最も有望なプラットフォームの一つである。
本研究では,原子層堆積と原子層エッチングのみを用いた弱結合を形成するために,厚み駆動型超伝導-絶縁体遷移を利用する。
我々は、alpha/2pi = 235$ MHz の非調和性を持つトランスモン量子ビット '$planaron$' を作成し、現在、線幅は $kappa/2pi = 15 Mathrm: MHz$ である。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Superconducting qubits are among the most promising platforms for realizing practical quantum computers. One requirement to create a quantum processor is nonlinearity, which in superconducting circuits is typically achieved by sandwiching a layer of aluminum oxide between two aluminum electrodes to form a Josephson junction. These junctions, however, face several limitations that hinder their scalability: the small superconducting gap of aluminum necessitates millikelvin operating temperatures, the material interfaces lead to dissipation, and the sandwich geometry adds unwelcome capacitance for high-frequency applications. In this work, we address all three limitations using a novel superconducting weak link based on the superconductor-insulator transition. By locally thinning a single film of niobium nitride, we exploit its thickness-driven superconductor-insulator transition to form a weak link employing only atomic layer deposition and atomic layer etching. We utilize our weak links to produce a transmon qubit, '$planaron$', with a measured anharmonicity of $\alpha/2\pi = 235$ MHz; at present, the linewidth is $\kappa/2\pi = 15 \mathrm{\: MHz}$. The high superconducting gap of niobium nitride can enable operation at elevated temperatures in future devices, and the fully planar geometry of the weak link eliminates superfluous material interfaces and capacitances. The investigation of small patches of material near the SIT can shed new light on the nature of the transition, including the role of dissipation and finite-size effects.
- Abstract(参考訳): 超伝導量子ビットは、実用的な量子コンピュータを実現する上で最も有望なプラットフォームの一つである。
量子プロセッサを作る1つの要件は非線形性であり、超伝導回路では2つのアルミニウム電極の間に酸化アルミニウムの層を挟んでジョセフソン接合を形成することで達成される。
しかし、これらの接合はスケーラビリティを妨げるいくつかの制限に直面しており、アルミニウムの小さな超伝導ギャップはミリケルビンの運転温度を必要とする。
本研究では,超伝導-絶縁体遷移に基づく新しい超伝導弱リンクを用いて,これら3つの制限に対処する。
窒化ニオブの膜を局所的に薄膜化することにより、厚み駆動型超伝導体-絶縁体遷移を利用して、原子層堆積と原子層エッチングのみを用いた弱い結合を形成する。
弱リンクを用いてトランスモン量子ビット '$planaron$' を生成し、測定アンハーモニック性は $\alpha/2\pi = 235$ MHz であり、現在、線幅は $\kappa/2\pi = 15 \mathrm{\: MHz}$ である。
窒化ニオブの高超伝導ギャップは将来の装置の高温での運転を可能にし、弱いリンクの完全な平面形状は超流動性材料界面と容量を除去する。
SIT付近の物質の小さなパッチの研究は、散逸や有限サイズの効果など、遷移の性質に新たな光を放つことができる。
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