論文の概要: Modelling and experimental verification of photoelectrical response of NV diamond spin centres
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2511.19583v1
- Date: Mon, 24 Nov 2025 18:53:51 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-11-26 17:37:04.110508
- Title: Modelling and experimental verification of photoelectrical response of NV diamond spin centres
- Title(参考訳): NVダイヤモンドスピンセンタの光電応答のモデル化と実験的検証
- Authors: Josef Soucek, Michael Petrov, Michal Gulka, Emilie Bourgeois, Milos Nesladek,
- Abstract要約: ダイヤモンド中のNV色中心の光電応答の数学的モデルについて報告する。
チャージキャリアのドリフトと回収、およびジェネレーションと組換えダイナミクスによる他の欠陥の存在を含めます。
このモデルは実験的に確認され、NV量子ビット光電リードアウトの性能を最適化するための有用なツールとなる。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.01816555059276168
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
- Abstract: We report on a mathematical model of the photoelectric response of NV colour centres in diamond, that can be employed for sensing and quantum science information applications. Although the model applies to NV centre in diamond, it can be applied with small modifications to other semiconducting solid state qubits. In our model, we include the drift and collection of charge carriers as well as the presence of other defects via generation and recombination dynamics. Though the photoluminescence readout and the associated dynamics of the NV defect has been extensively studied experimentally and theoretically, so far, there has been no precise model for photocurrent readout, including these effects. In our description, we use a multilevel-level system including mS=0, mS=+-1 ground and excited states, singlet state and the NV0 neutral state. Also, the presence of substitutional nitrogen (NS), which for example determines the spin coherence via the paramagnetic spin bath, is discussed together with presence of acceptor defects. We model the time-dependent occupation of all electronic sublevels and also consider the electronic charge transport from the Boltzmann transport equation, leading to information about the charge state transitions and recombination dynamics. ODMR and PDMR response as well as their quantum efficiencies, are calculated. On this basis, we determine an optimal parameter space for qubit operations, including the highest spin contrast and especially relate those to NS presence. The model is confirmed experimentally and can become a useful tool for optimisation of the performance of NV qubit photoelectric readout.
- Abstract(参考訳): ダイヤモンド中のNV色中心の光電応答の数学的モデルについて報告する。
このモデルはダイヤモンド中のNV中心に適用されるが、他の半導体固体量子ビットに小さな修正を加えて適用することができる。
我々のモデルでは、チャージキャリアのドリフトと収集に加えて、生成と組換えのダイナミクスによる他の欠陥の存在も含んでいます。
フォトルミネッセンス・リードアウトとNV欠陥の関連力学は実験的、理論的に研究されているが、これらの効果を含む光電流・リードアウトの正確なモデルはない。
説明では,mS=0,mS=+-1グラウンドおよび励起状態,単項状態,NV0中立状態を含むマルチレベルシステムを用いる。
また、例えば常磁性スピン浴を介してスピンコヒーレンスを決定する置換窒素(NS)の存在は、アクセプター欠陥の存在とともに議論される。
我々は、すべての電子準位の時間依存的占有をモデル化し、ボルツマン輸送方程式からの電子電荷輸送を考察し、電荷状態遷移と再結合ダイナミクスに関する情報を得る。
ODMRおよびPDMR応答およびそれらの量子効率を算出した。
そこで本研究では,最大スピンコントラストを含む量子ビット演算の最適パラメータ空間を決定する。
このモデルは実験的に確認され、NV量子ビット光電リードアウトの性能を最適化するための有用なツールとなる。
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