論文の概要: Non-radiative energy transfer between boron vacancies in hexagonal boron nitride and other 2D materials
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2512.03970v1
- Date: Wed, 03 Dec 2025 17:02:07 GMT
- ステータス: 情報取得中
- システム内更新日: 2025-12-04 12:00:15.945962
- Title: Non-radiative energy transfer between boron vacancies in hexagonal boron nitride and other 2D materials
- Title（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素と他の2次元材料におけるホウ素空孔間の非放射エネルギー移動
- Authors: Fraunié Jules, Mikhail M. Glazov, Sébastien Roux, Abraao Cefas Torres-Dias, Cora Crunteanu-Stanescu, Tom Fournier, Maryam S. Dehaghani, Tristan Clua-Provost, Delphine Lagarde, Laurent Lombez, Xavier Marie, Benjamin Lassagne, Thomas Poirier, James H. Edgar, Vincent Jacques, Cedric Robert,
- Abstract要約: 六方晶窒化ホウ素(hBN)のホウ素原子価(V_B-$)は、2次元量子センサーのための有望なプラットフォームとして出現している。
V_B-$中心と単層グラフェンまたは2D半導体間の非放射性フラスター共鳴エネルギー伝達(FRET)について検討した。
興味深いことに、FRETレートは3nm以上のhBNセンシング層では無視でき、超薄型量子センサーに統合するためのV_B-$センターの可能性を強調している。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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- Abstract: Boron vacancies ($V_B^-$) in hexagonal boron nitride (hBN) have emerged as a promising platform for two-dimensional quantum sensors capable of operating at atomic-scale proximity. However, the mechanisms responsible for photoluminescence quenching in thin hBN sensing layers when placed in contact with absorptive materials remain largely unexplored. In this Letter, we investigate non-radiative Förster resonance energy transfer (FRET) between $V_B^-$ centers and either monolayer graphene or 2D semiconductors. Strikingly, we find that the FRET rate is negligible for hBN sensing layers thicker than 3 nm, highlighting the potential of $V_B^-$ centers for integration into ultra-thin quantum sensors within van der Waals heterostructures. Furthermore, we experimentally extract the intrinsic radiative decay rate of $V_B^-$ defects.
- Abstract（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素(hBN)のホウ素空孔(V_B^-$)は、原子スケールで操作できる2次元量子センサーのための有望なプラットフォームとして出現している。
しかし、吸収材料と接触した場合のhBNの薄層における発光クレンチングのメカニズムは未解明のままである。
このレターでは、$V_B^-$中心と単層グラフェンまたは2D半導体間の非放射性フェルスター共鳴エネルギー移動(FRET)について検討する。
興味深いことに、FRET速度は3nm以上のhBNセンシング層に対して無視可能であることが分かり、ファンデルワールスヘテロ構造体内の超薄量子センサーに統合するための$V_B^-$センターの可能性を強調した。
さらに本研究では,本質的な放射崩壊速度を$V_B^-$欠陥から抽出した。
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