論文の概要: Quantifying the Relationship Between Strain and Bandgap in Thin Ga$_2$Se$_2$
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2601.08984v1
- Date: Tue, 13 Jan 2026 21:12:53 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-01-15 18:59:20.16859
- Title: Quantifying the Relationship Between Strain and Bandgap in Thin Ga$_2$Se$_2$
- Title(参考訳): Ga$_2$Se$_2$におけるひずみとバンドギャップの関係の定量化
- Authors: Lottie L. Murray, Eric Herrmann, Igor Evangelista, Anderson Janotti, Xi Wang, Matthew F. Doty,
- Abstract要約: 2次元セレン化ガリウム(Ga$$Se$$$)におけるひずみとバンドギャップの関係を定量化するために、理論、シミュレーション、実験的測定を組み合わせた厳密な分析を行う。
原子間力顕微鏡(AFM)測定とCOMSOL多物理シミュレーションを組み合わせた局所ひずみの定量化を行った。
次に、高分解能超PLイメージングを用いてひずみ誘起バンドギャップシフトを実験的にマッピングし、ロバストで統計的に有意なデータセットを生成する。
バンドギャップシフトを計算した単純なモデルは、観測されたマルチスペクトルバンドギャップシフトを10%未満の誤差で予測する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 3.968894142390465
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We present a rigorous analysis that combines theory, simulation, and experimental measurements to quantify the relationship between strain and bandgap in two dimensional gallium selenide (Ga$_2$Se$_2$). Experimentally, we transfer thin Ga$_2$Se$_2$ flakes onto patterned substrates to deterministically induce multiaxial localized strain. We quantify the local strain using a combination of atomic force microscopy (AFM) measurements and COMSOL Multiphysics simulation. We then experimentally map the strain-induced bandgap shifts using high-resolution hyperspectral PL imaging to generate a robust and statistically significant dataset. We systematically fit this data to extract gauge factors that relate the bandgap shift to the local uniaxial and biaxial strain. We then compute the uniaxial and biaxial strain gauge factors via density functional theory (DFT) and find excellent agreement with the experimentally-determined values. Finally, we show that a simple model that computes bandgap shifts from the local uniaxial and biaxial strain predicts the observed multiaxial bandgap shift with less than 10\% error. The combined results provide a framework for deterministic realization of tailored bandgap profiles induced by controlled strain applied to Ga$_2$Se$_2$, with implications for the future realization of localized quantum emitters for quantum photonic applications.
- Abstract(参考訳): 本研究では,2次元セレン化ガリウム(Ga$_2$Se$_2$)のひずみとバンドギャップの関係を定量化するために,理論,シミュレーション,実験的測定を組み合わせた厳密な解析を行った。
実験により,Ga$_2$Se$_2$フレークをパターン基板に転写し,多軸局所ひずみを導出する。
原子間力顕微鏡(AFM)測定とCOMSOL多物理シミュレーションを組み合わせた局所ひずみの定量化を行った。
次に、高分解能超スペクトルPLイメージングを用いてひずみ誘起バンドギャップシフトを実験的にマッピングし、ロバストで統計的に有意なデータセットを生成する。
我々は,バンドギャップシフトを局所的な一軸ひずみと二軸ひずみに関連づけるゲージ因子を抽出するために,このデータを体系的に適合させる。
次に、密度汎関数理論(DFT)を用いて一軸および二軸ひずみゲージ係数を計算し、実験により決定された値との良好な一致を求める。
最後に、局所的な一軸ひずみと二軸ひずみからバンドギャップシフトを計算する単純なモデルが、観測された多軸バンドギャップシフトを10\%以下の誤差で予測することを示す。
この組み合わせにより,Ga$2$Se$_2$に適用される制御ひずみによって誘導される配向バンドギャッププロファイルの決定論的実現のためのフレームワークが提供され,量子フォトニクス応用のための局所量子エミッタの将来の実現に寄与する。
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