論文の概要: Quantization Mapping on Dirac Dynamics via Voltage-Driven Charge Density in Monolayer Graphene: A Klein Paradox and Entropy-Ruled Wavevector Mechanics Study

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2602.11604v1
• Date: Thu, 12 Feb 2026 05:49:29 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-02-13 21:07:25.657394
• Title: Quantization Mapping on Dirac Dynamics via Voltage-Driven Charge Density in Monolayer Graphene: A Klein Paradox and Entropy-Ruled Wavevector Mechanics Study
• Title（参考訳）: 単層グラフェンの電圧駆動電荷密度によるディラックダイナミクスの量子化マッピング : クラインパラドックスとエントロピー型ウェーブベクター力学による研究
• Authors: Karuppuchamy Navamani,
• Abstract要約: 単層グラフェンにおける電圧駆動電荷密度の実証的関係を通して, ディラック材料のエネルギー量子化を図示した。 本研究はディラック材料における相互作用ポテンシャル-DOS関係に関する情報を明らかにする。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Thermodynamics coupled with quantum features on electron and hole dynamics in Dirac materials is quite interesting and crucial for real device applications. The correlation between the formation of electron-hole puddles in nearer to the charge neutrality point (CNP), and the role of disorder is fundamentally important for Dirac transport in graphene systems. Numerous studies on graphene further urge the necessity to find a better descriptor for disorder-charge puddles relation, which directly influences electrical conductivity. In principle, the external bias-driven energy level shift and its relevant density of states (DOS) provide information about the effect of total interactive potential on linear energy dispersion in terms of wavevector, but yet to be well-explored. With this ground, here we map the energy quantization for Dirac materials through the empirical relation of voltage-driven charge density in monolayer graphene, using the differential entropy (h)-ruled wavevector (k) mechanics. For this work, we propose the four postulates which are the key observable descriptions of earlier research reports, to study the precise electronic transport via an entropy-guided wavevector propagation approach, along with the Klein paradox, which pertains to the ultrafast dynamics in the Dirac or quasi-Dirac systems. The introduced h-ruled k and h-ruled N relations generalize the electron dynamics in both the unbounded and potentially bounded Dirac systems. Through the quantization mapping procedure under different voltage-driven potential (U=eV) boundary conditions, the observed energy shift from lower to excited quantum state obeys the relation of N(k)=N(U)^3; here, N(U) is the voltage-driven potential energy contribution factor for the quantum state existence. This study reveals information about the interaction potential-DOS relationship in the Dirac materials.
• Abstract（参考訳）: ディラック材料における電子とホールの力学の量子的特徴と結合した熱力学は、実際のデバイス応用にとって非常に興味深く重要なものである。 電子ホール水たまりの形成と電荷中立点(CNP)との相関は、グラフェン系におけるディラック輸送において根本的に重要である。 グラフェンに関する多くの研究は、電気伝導度に直接影響を及ぼす障害電荷の水たまり関係のより良い記述子を見つける必要性をさらに押し付けている。 原則として、外部バイアス駆動エネルギー準位シフトとその関連する状態密度(DOS)は、波動ベクトルの観点からの線形エネルギー分散に対する総合的相互作用ポテンシャルの影響に関する情報を提供するが、十分に解明されていない。 ここでは, 単層グラフェンにおける電圧駆動電荷密度の実証的関係から, ディラック材料のエネルギー量子化を, 微分エントロピー (h) 誘導波動ベクトル (k) 力学を用いてマッピングする。 本研究では,従来の研究報告の重要な記述である4つの仮定を提案し,エントロピー誘導波動ベクトル伝搬法と,ディラック系や準ディラック系の超高速ダイナミクスに関するクラインパラドックスを用いた精密電子輸送について検討する。 導入されたh-ルンド k と h-ルンド N の関係は、非有界かつ潜在的に有界なディラック系の電子力学を一般化する。 異なる電圧駆動電位(U=eV)境界条件下での量子化マッピング法により、観測されたエネルギーシフトは、N(k)=N(U)^3の関係に従う。 本研究はディラック材料における相互作用ポテンシャル-DOS関係に関する情報を明らかにする。

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