論文の概要: Spin qubit gates via phonon buses in electron nanowires
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2603.13519v1
- Date: Fri, 13 Mar 2026 18:52:48 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-03-17 16:19:35.252094
- Title: Spin qubit gates via phonon buses in electron nanowires
- Title(参考訳): 電子ナノワイヤ中のフォノンバスによるスピン量子ゲート
- Authors: Dylan Lewis, Roopayan Ghosh, Sanjeev Kumar, Michael Pepper, Charles Smith, Karyn Le Hur, Sougato Bose,
- Abstract要約: 電子のナノワイヤを用いて2つの量子ドット間の相互作用を仲介する。
電子の線形鎖内の仮想フォノンは、遠くの量子ドット内の電子のスピンスピンカップリングを効果的に起こす相互作用を仲介することができる。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 1.9739979974462674
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Scalable architectures for quantum computing using semiconductor quantum dots require interactions between qubits beyond adjacent quantum dots. Here, we propose using nanowires of electrons to mediate the interaction between two quantum dots. Virtual phonons in the linear chain of electrons can mediate an interaction that gives rise to effective spin-spin coupling of the electrons in distant quantum dots. We find coupling strengths of more than 30 MHz for experimentally realisable parameters in GaAs quantum dots.
- Abstract(参考訳): 量子ドットを用いた量子コンピューティングのためのスケーラブルなアーキテクチャは、隣接する量子ドットを超えた量子ビット間の相互作用を必要とする。
本稿では、2つの量子ドット間の相互作用を媒介する電子のナノワイヤを提案する。
電子の線形鎖内の仮想フォノンは、遠くの量子ドット内の電子のスピンスピンカップリングを効果的に起こす相互作用を仲介することができる。
GaAs量子ドットにおける実験的に実現可能なパラメータに対する30MHz以上の結合強度を求める。
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