論文の概要: Gap Engineered Superconducting Multilayer Nanobridge Josephson Junctions
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2603.20757v1
- Date: Sat, 21 Mar 2026 11:08:45 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-03-24 19:11:39.071624
- Title: Gap Engineered Superconducting Multilayer Nanobridge Josephson Junctions
- Title（参考訳）: ギャップエンジニアリングによる超伝導ナノブリッジジョセフソン接合
- Authors: Giuseppe Colletta, Susan Johny, Hua Feng, Mohammed Alkhalidi, Jonathan A. Collins, Martin Weides,
- Abstract要約: Nb/NbNおよびNb/TiN超伝導スタックに基づく多層ナノブリッジジョセフソン接合の実現について報告する。
高比抵抗窒化物層は幾何学的弱結合を定義し、トップNb層はスタックの全体的な臨界温度と膜質を設定する。
デバイスはdc SQUIDにうまく統合され、信頼性の高い回路レベルの動作を示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.6465251961564605
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We report the realization of multilayer three-dimensional nanobridge Josephson junctions based on Nb/NbN and Nb/TiN superconducting stacks fabricated using electron-beam lithography and chlorine-based dry etching. In this architecture, a high-resistivity nitride layer defines the geometrical weak link, while the top Nb layer sets the overall critical temperature and film quality of the stack. This multilayer design enables engineering of the superconducting gap and proximity effects without relying on focused ion beam milling or oxide tunnel barriers. The devices are successfully integrated into dc SQUIDs, demonstrating reliable circuit-level operation. By combining material selectivity with three-dimensional geometry, this platform provides a scalable route toward oxide-free Josephson junctions suitable for superconducting electronics.
- Abstract（参考訳）: 電子ビームリソグラフィーおよび塩素系ドライエッチングにより作製したNb/NbNおよびNb/TiN超伝導スタックをベースとした多層ナノブリッジジョセフソン接合の実現について報告する。
このアーキテクチャでは、高比抵抗窒化物層が幾何学的弱結合を定義し、トップNb層がスタック全体の臨界温度と膜質を設定する。
この多層膜設計により、集束イオンビームミリングや酸化物トンネルバリアに頼ることなく、超伝導ギャップと近接効果を工学することができる。
デバイスはdc SQUIDにうまく統合され、信頼性の高い回路レベルの動作を示す。
材料選択性と3次元形状を組み合わせることで、超伝導エレクトロニクスに適した酸化物フリーのジョセフソン接合へのスケーラブルな経路を提供する。
関連論文リスト
- All-nitride superconducting qubits based on atomic layer deposition [6.318184147634221]
ALDで堆積したNbN/AlN/NbN三層膜に基づく超伝導量子ビットを報告する。
これらのトランモン量子ビットは300mK以上の温度でもマイクロ秒スケールの緩和時間を示す。
論文 参考訳（メタデータ） (2025-11-12T03:15:52Z) - A transmon qubit realized by exploiting the superconductor-insulator transition [0.0]
超伝導量子ビットは、実用的な量子コンピュータを実現する上で最も有望なプラットフォームの一つである。
本研究では,原子層堆積と原子層エッチングのみを用いた弱結合を形成するために,厚み駆動型超伝導-絶縁体遷移を利用する。
我々は、alpha/2pi = 235$ MHz の非調和性を持つトランスモン量子ビット '$planaron$' を作成し、現在、線幅は $kappa/2pi = 15 Mathrm: MHz$ である。
論文 参考訳（メタデータ） (2025-10-22T19:29:01Z) - InAs on Insulator: A New Platform for Cryogenic Hybrid Superconducting Electronics [37.69303106863453]
ハイブリッドInAs Josephson Junctions (JJs) に基づく超伝導回路は、高速で超低消費電力の固体量子エレクトロニクスの設計において重要な役割を担っている。
InAs-on-insulator (InAsOI) を超伝導エレクトロニクス開発のための画期的なプラットフォームとして提案する。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-05-13T10:39:16Z) - Site-Controlled Purcell-Induced Bright Single Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride [62.170141783047974]
六方晶窒化ホウ素(hBN)でホストされる単一光子エミッタは、室温で動作する量子フォトニクス技術にとって必須の構成要素である。
我々はPurcellにより誘導されるサイト制御SPEのためのプラズモンナノ共振器の大規模アレイを実験的に実証した。
我々の結果は、明るく、均一に統合された量子光源の配列を提供し、堅牢でスケーラブルな量子情報システムへの道を開いた。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-05-03T23:02:30Z) - SuperGaN: Synthesis of NbTiN/GaN/NbTiN Tunnel Junctions [0.0]
Nbベースの回路は量子制限光子検出器、低ノイズパラメトリック増幅器、超伝導デジタル論理回路、量子コンピューティングのための低損失回路に広く応用されている。
エピタキシャル成長AlNトンネルバリアを有するNbTiN/AlN/NbTiN超伝導絶縁超伝導接合
SIS I(V) 特性の低い高品質NbTiN/GaN/NbTiNヘテロ接合の予備的結果が報告された。
論文 参考訳（メタデータ） (2023-09-26T17:50:17Z) - Improved Coherence in Optically-Defined Niobium Trilayer Junction Qubits [45.786749852292246]
ニオブは超伝導装置の運転温度と周波数の上昇の恩恵を受ける。
我々は、光学リソグラフィーのみを用いて、ニオブ三層接合を再検討し、オールニオブトランスモンを作製する。
電子レンジ領域のデバイスを特徴付け、コヒーレンスタイムを最大622mu$s、平均クビット品質係数を105$以上としています。
論文 参考訳（メタデータ） (2023-06-09T13:26:13Z) - TOF-SIMS Analysis of Decoherence Sources in Nb Superconducting
Resonators [48.7576911714538]
超伝導量子ビットは、潜在的に基盤となるプラットフォーム技術として出現している。
材料品質と界面構造は、デバイスの性能を抑え続けている。
薄膜および隣接領域の2レベル系欠陥はノイズを導入し、電磁エネルギーを散逸させる。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-08-30T22:22:47Z) - Discovery of Nb hydride precipitates in superconducting qubits [37.69303106863453]
リゲッティ・コンピューティングで作製された超伝導量子ビットのシリコン上におけるニオブ膜中のニオブ水和物生成の最初の証拠を報告する。
室温106Kで高分解能透過電子顕微鏡(HRTEM)解析を行った。
以上の結果から,超伝導量子ビットのデコヒーレンスの新たな発生源が明らかとなり,準および二段系(TLS)の損失に寄与した。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-08-23T20:01:38Z) - In-situ bandaged Josephson junctions for superconducting quantum
processors [101.18253437732933]
シャドウ蒸発は、超伝導量子ビット(ジョセフソン接合)の鍵要素をマイクロファブリケートするために一般的に用いられる。
ここでは, サブミクロサイズのジョセフソン接合部と包帯層を単一リソグラフィー工程で作製できる改良されたシャドウ蒸発法を提案する。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-01-05T11:08:09Z) - Quantum Sensors for Microscopic Tunneling Systems [58.720142291102135]
トンネル2層系(TLS)は超伝導量子ビットなどのマイクロファブリック量子デバイスにおいて重要である。
本稿では,薄膜として堆積した任意の材料に個々のTLSを特徴付ける手法を提案する。
提案手法は, トンネル欠陥の構造を解明するために, 量子材料分光の道を開く。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-11-29T09:57:50Z)
関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。
指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。