論文の概要: Wafer-Level Etch Spatial Profiling for Process Monitoring from Time-Series with Time-LLM

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2603.23576v1
• Date: Tue, 24 Mar 2026 13:38:19 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-03-26 21:06:10.952727
• Title: Wafer-Level Etch Spatial Profiling for Process Monitoring from Time-Series with Time-LLM
• Title（参考訳）: 時間LLMを用いた時系列からのプロセスモニタリングのためのウェーハレベルエッチング空間プロファイリング
• Authors: Hyunwoo Kim, Munyoung Lee, Seung Hyub Jeon, Kyu Sung Lee,
• Abstract要約: 本稿では,マルチチャネルプロセス時系列からウェーハレベルのエッチング深さ分布を直接予測する空間回帰モデルを提案する。 BOSCHプラズマエッチングデータセットを用いて,データ制限条件下での安定した性能を示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 3.125164399153961
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Understanding wafer-level spatial variations from in-situ process signals is essential for advanced plasma etching process monitoring. While most data-driven approaches focus on scalar indicators such as average etch rate, actual process quality is determined by complex two-dimensional spatial distributions across the wafer. This paper presents a spatial regression model that predicts wafer-level etch depth distributions directly from multichannel in-situ process time series. We propose a Time-LLM-based spatial regression model that extends LLM reprogramming from conventional time-series forecasting to wafer-level spatial estimation by redesigning the input embedding and output projection. Using the BOSCH plasma-etching dataset, we demonstrate stable performance under data-limited conditions, supporting the feasibility of LLM-based reprogramming for wafer-level spatial monitoring.
• Abstract（参考訳）: プラズマエッチングプロセス監視において,その場でのプロセス信号からウェーハレベルの空間変動を理解することが不可欠である。 多くのデータ駆動型アプローチは平均エッチング率などのスカラー指標に重点を置いているが、実際のプロセス品質はウェハを横断する複雑な2次元空間分布によって決定される。 本稿では,マルチチャネルプロセス時系列からウェーハレベルのエッチング深さ分布を直接予測する空間回帰モデルを提案する。 本稿では,従来の時系列予測からウェハレベルの空間推定まで,入力埋め込みと出力プロジェクションを再設計してLLM再プログラミングを拡張した時間LLMに基づく空間回帰モデルを提案する。 BOSCHプラズマエッチングデータセットを用いて,データ制限条件下での安定した性能を示す。

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