論文の概要: Complete coherent control of spin qubits in self-assembled InAs quantum dots under oblique magnetic fields
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2604.07074v1
- Date: Wed, 08 Apr 2026 13:27:52 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-04-09 17:30:51.554924
- Title: Complete coherent control of spin qubits in self-assembled InAs quantum dots under oblique magnetic fields
- Title(参考訳): 斜め磁場下での自己集合InAs量子ドットにおけるスピン量子ビットの完全コヒーレント制御
- Authors: I. Samaras, K. Barr, C. Schneider, S. Höfling, K. G. Lagoudakis,
- Abstract要約: 自己集合InAs負電荷量子ドットに閉じ込められた単一スピン量子ビットの完全コヒーレント制御を示す。
従来のVoigt幾何と比較する。
結果はスピンキュービット制御が必ずしも純粋なヴォイグット幾何学を必要としないことを証明している。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We demonstrate complete coherent control of a single spin qubit confined in a self-assembled InAs negatively charged quantum dot subjected to an Oblique magnetic field, and directly compare this regime with the conventional Voigt geometry. In the Oblique-field configuration, the groundstate spin eigenstates are found to be unequal superpositions of the bare electron spin, with their composition tunable via the orientation of the applied field. This tunable spin mixing provides an additional degree of freedom to engineer the spin basis and associated optical couplings in the charged quantum dot system. Although this geometry has a distinct structure with important implications, it provides a regime in which we can fully and coherently control the tailored spin qubit. We observe Rabi oscillations and Ramsey fringes, and demonstrate arbitrary single-qubit rotations, enabling a direct comparison with the Voigt case. Our results establish that spin-qubit control does not necessarily require a pure Voigt geometry and can instead be achieved under Oblique magnetic fields. This relaxes constraints on device and field alignment and offers a versatile route to design and optimize quantum information processing architectures in semiconductor quantum dots.
- Abstract(参考訳): 自己集合InAsに閉じ込められた単一スピン量子ビットの完全コヒーレント制御を斜め磁場を受ける負電荷量子ドットで示し、この状態と従来のVoigt幾何を直接比較する。
斜交場配置では、基底状態スピン固有状態は素電子スピンの不等重畳であり、それらの組成は印加磁場の向きによって調整可能である。
この調整可能なスピン混合は、電荷量子ドット系におけるスピン基底と関連する光結合を工学する自由度を与える。
この幾何は重要な意味を持つ異なる構造を持つが、完全にかつコヒーレントに調整されたスピン量子ビットを制御できる状態を与える。
我々はRabi振動とRamsey fringeを観測し、任意の1量子ビット回転を示し、Voigtの場合と直接比較できる。
この結果から、スピン量子制御は必ずしも純粋なVoigt幾何学を必要としないことが判明し、代わりに斜め磁場下で実現可能である。
これはデバイスとフィールドアライメントの制約を緩和し、半導体量子ドットにおける量子情報処理アーキテクチャの設計と最適化のための汎用的なルートを提供する。
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