論文の概要: Quantum Thermal Field Effect Transistor

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2604.07893v1
• Date: Thu, 09 Apr 2026 07:02:34 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-04-10 18:34:05.755461
• Title: Quantum Thermal Field Effect Transistor
• Title（参考訳）: 量子熱電界効果トランジスタ
• Authors: Abhijeet Kumar, Soniya Malik, P. Arumugam,
• Abstract要約: 我々は、左量子ビット、中量子ビット、右量子ビットサブシステムからなる量子熱電界効果トランジスタ(qtFET)を提案し、解析する。 以上の結果から,qtFETは熱電流を正確に変調することができ,量子熱デバイスや増幅器の基本的なビルディングブロックとしての可能性を強調した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.03344881221874408
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We propose and analyse a quantum thermal field-effect transistor (qtFET) composed of left-qubit, middle-qutrit, and right-qubit subsystems. In this architecture, the left qubit is coupled to the middle qutrit, which in turn interacts with the right qubit. Each subsystem interacts independently with its respective baths. The middle subsystem serves as a modulator. We have shown that the qtFET exhibits functionality analogous to that of a conventional electronic field-effect transistor (eFET). The left, right, and middle subsystems of the qtFET correspond to the drain, source, and gate of an eFET in a common gate configuration, respectively. Our results show that the qtFET can precisely modulate thermal currents, highlighting its potential as a fundamental building block for quantum thermal devices and amplifiers in emerging quantum technologies.
• Abstract（参考訳）: 我々は、左量子ビット、中量子ビット、右量子ビットサブシステムからなる量子熱電界効果トランジスタ(qtFET)を提案し、解析する。 このアーキテクチャでは、左キュービットは中間キュービットに結合され、右キュービットと相互作用する。 各サブシステムはそれぞれの浴槽と独立に相互作用する。 ミドルサブシステムは変調器として機能する。 我々は,従来の電界効果トランジスタ(eFET)と同様の機能を示すことを示した。 qtFETの左サブシステム、右サブシステム、中サブシステムはそれぞれ共通のゲート構成のeFETのドレイン、ソース、ゲートに対応する。 以上の結果から,qtFETは熱電流を正確に変調することができ,量子熱デバイスや新興量子技術における増幅器の基本的な構築ブロックとしての可能性を強調した。

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