論文の概要: Tantalum Damascene Coplanar Waveguide Resonators Fabricated Using 300 mm Scale Processes
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2604.22086v1
- Date: Thu, 23 Apr 2026 21:38:51 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-04-27 15:36:26.275984
- Title: Tantalum Damascene Coplanar Waveguide Resonators Fabricated Using 300 mm Scale Processes
- Title（参考訳）: 300mmスケールで作製したタンタルダマスセンコプレーナー導波管共振器
- Authors: Ekta Bhatia, Yingge Du, Krishna P Koirala, Chung Kow, Mingzhao Liu, Juan Macy, Tharanga R. Nanayakkara, Francisco Ponce, Satyavolu S. Papa Rao, Drew J. Rebar, Peter V. Sushko, Brent A VanDevender, Chongmin Wang, Marvin G. Warner, Zhihao Xiao,
- Abstract要約: 表面酸化物は超伝導トランスモンデバイスの損失に寄与し、性能は低下する。
本研究では, 金属/基板界面の側壁ネイティブ酸化物を代替するダマスセンプロセスについて検討する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.40807945668920786
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Surface oxides contribute to losses in superconducting transmon devices resulting in degraded performance. We explore the use of the damascene process to replace the sidewall native oxide of a device with a metal/substrate interface. We simulate sidewall oxidation by burying an oxide layer during fabrication. We observe a modest improvement between the two types of devices, which is suggestive of a reduction in the surface participation ratio.
- Abstract（参考訳）: 表面酸化物は超伝導トランスモンデバイスの損失に寄与し、性能は低下する。
本研究では, 金属/基板界面の側壁酸化酸化物を代替するダマスセンプロセスについて検討する。
製造時に酸化層を埋めることにより側壁酸化をシミュレートする。
本研究では,2種類のデバイス間の微妙な改善を観察し,表面積率の低下が示唆された。
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