論文の概要: Large quantum dot energy level shifts in anomalous photon-assisted tunneling
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2604.26947v1
- Date: Wed, 29 Apr 2026 17:55:44 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-04-30 15:59:36.535721
- Title: Large quantum dot energy level shifts in anomalous photon-assisted tunneling
- Title（参考訳）: 異常光子支援トンネルにおける大規模量子ドットエネルギー準位シフト
- Authors: Jared Benson, C. E. Sturner, A. R. Huffman, Sanghyeok Park, Valentin John, Brighton X. Coe, Tyler J. Kovach, Stefan D. Oosterhout, Lucas E. A. Stehouwer, Francesco Borsoi, Giordano Scappucci, Menno Veldhorst, Benjamin D. Woods, Mark Friesen, M. A. Eriksson,
- Abstract要約: Ge/SiGeヘテロ構造における二重量子ドット(DQD)の軌道分割に依存する一重項(ST)分割について検討する。
その結果,ST分割はゲート電圧に大きく依存しており,不規則なPAT測定に繋がることがわかった。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Orbital energy splittings are important quantum dot parameters for the operation of hole spin qubits. They are known to depend on the lateral confinement of the quantum dots. However, when changing top, plunger gate voltages, which are the typical control parameter for qubit applications, such energy splitting changes are typically negligible, both as measured in experiment and as assumed in effective theories. Here, we study the singlet-triplet (ST) splittings, which depend on the orbital splittings, of a double quantum dot (DQD) in a Ge/SiGe heterostructure using photon-assisted tunneling (PAT) and pulsed-gate spectroscopy. We find that the ST splittings have a surprising, strong dependence on the top gate voltages, leading to anomalous PAT measurements. We combine data from both measurements in a model that well describes the linear gate-voltage dependence of the ST splittings. Finally, we show that the ST splittings of the two dots exhibit similar linear gate-voltage dependences when the device is retuned such that their ratio is significantly different.
- Abstract（参考訳）: 軌道エネルギー分割は、ホールスピン量子ビットの演算において重要な量子ドットパラメータである。
それらは量子ドットの外側の閉じ込めに依存することが知られている。
しかし、キュービット応用の典型的な制御パラメータであるプルーパーゲート電圧をトップに変化させる際には、実験で測定された場合や有効理論で仮定された場合と同様に、そのようなエネルギー分割の変化は一般的に無視できる。
本稿では、Ge/SiGeヘテロ構造における二重量子ドット(DQD)の軌道分割に依存するシングルトリップレット(ST)分割について、光子支援トンネル(PAT)とパルスゲート分光法を用いて検討する。
その結果,ST分割はゲート電圧に大きく依存しており,不規則なPAT測定に繋がることがわかった。
我々は、ST分割の線形ゲート電圧依存性をうまく記述したモデルにおいて、両方の測定値から得られるデータを組み合わせる。
最後に, 2点のST分割は, デバイスを改質した場合に同様の線形ゲート電圧依存性を示し, 比が著しく異なることを示す。
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